Zobrazeno 1 - 10
of 1 938
pro vyhledávání: '"Tunnel FET"'
Autor:
Ranjith Kumar T, Lakshmi Priya G
Publikováno v:
Results in Engineering, Vol 24, Iss , Pp 103318- (2024)
In this paper, we present a unique Asymmetric Source-Drain Heterojunction Dual-Dielectric Uniform Tunnel Field Effect Transistor (A-SD-HJ-DD-UTFET) based biosensor tailored for the early detection of dengue NS1 protein during the acute phase of infec
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/4a3e2fa4a7d94715bc8f58f403a3c94b
Publikováno v:
Circuit World, 2020, Vol. 50, Issue 1, pp. 1-8.
Externí odkaz:
http://www.emeraldinsight.com/doi/10.1108/CW-06-2020-0117
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Jyi-Tsong Lin, Shao-Cheng Weng
Publikováno v:
Discover Nano, Vol 18, Iss 1, Pp 1-13 (2023)
Abstract This article presents a new line tunneling dominating metal–semiconductor contact-induced SiGe–Si tunnel field-effect transistor with control gate (CG-Line SiGe/Si iTFET). With a structure where two symmetrical control gates at the drain
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/145d5182cc2f451e94130ee3ea4cac49
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 14, Iss 11, p 962 (2024)
This paper investigates the performance of vacuum gate dielectric doping-free carbon nanotube/nanoribbon field-effect transistors (VGD-DL CNT/GNRFETs) via computational analysis employing a quantum simulation approach. The methodology integrates the
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/2bc78aeec9404e558239d414bea07db1
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Open Journal of Nanotechnology, Vol 4, Pp 71-76 (2023)
This paper presents a new design of charge plasma junctionless tunnel field effect transistor (CP JLTFET) with improved ON current, surface potentials. For the ease of fabrication, source and drain regions are induced in intrinsic silicon material us
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/011919987d604cc9b20416f94d762040
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.