Zobrazeno 1 - 10 of 137 pro vyhledávání: '"Tung, R. T."'
1
Akademický článek
Epitaxial silicide formation on recoil-implanted substrates.
Autor: Hashimoto, Shin, Egashira, Kyoko, Tanaka, Tomoya, Etoh, Ryuji, Hata, Yoshifumi, Tung, R. T.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 1/15/2005, Vol. 97 Issue 2, p024911, 6p, 3 Black and White Photographs, 1 Diagram, 7 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Effect of ultrathin Mo and MoSi... layer on Ti silicide reaction.
Autor: Ohmi, S., Tung, R. T.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 10/1/1999, Vol. 86 Issue 7, p3655, 6p, 12 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
The precipitation of kinks on stepped Si(111) surfaces.
Autor: Wei, Jian, Wang, Xue-sen, Bartelt, Norman C., Williams, Ellen D., Tung, R. T.
Publikováno v: Journal of Chemical Physics; 6/15/1991, Vol. 94 Issue 12, p8384, 6p
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Inhomogeneous Schottky barriers at Ag/Si(111) and Ag/Si(100) interfaces.
Autor: Weitering, H. H., Sullivan, J. P., Carolissen, R. J., Pérez-Sandoz, R., Graham, W. R., Tung, R. T.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 5/15/1996, Vol. 79 Issue 10, p7820, 10p, 1 Black and White Photograph, 3 Charts, 6 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Single-crystal Si/NiSi2/Si(100) structures.
Autor: Tung, R. T., Eaglesham, D. J., Schrey, F., Sullivan, J. P.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 6/15/1993, Vol. 73 Issue 12, p8250, 8p, 4 Black and White Photographs, 2 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Control of interfacial morphology: NiSi2/Si(100).
Autor: Sullivan, J. P., Tung, R. T., Schrey, F.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 7/15/1992, Vol. 72 Issue 2, p478, 12p, 9 Black and White Photographs, 1 Graph
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Electron transport of inhomogeneous Schottky barriers: A numerical study.
Autor: Sullivan, J. P., Tung, R. T., Pinto, M. R., Graham, W. R.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 12/15/1991, Vol. 70 Issue 12, p7403, 22p
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Interfacial defects in silicides on Si(100): ‘‘Coreless defects,’’ 1/12<111> dislocations, and twinning mechanisms.
Autor: Eaglesham, D. J., Tung, R. T., Sullivan, J. P., Schrey, F.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 4/15/1993, Vol. 73 Issue 8, p4064, 3p, 3 Black and White Photographs
Zobrazit plný text záznamu
10
Conference
On the Template Mechanism of Enhanced C54-TiSi2 Formation.
Autor: Kappius, L., Tung, R. T.
Publikováno v: MRS Online Proceedings Library; 2000, Vol. 611 Issue 1, p1-6, 6p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje