Zobrazeno 1 - 10
of 23
pro vyhledávání: '"Tuchscherer, Andre"'
Autor:
Mueller, Steve, Waechtler, Thomas, Hofmann, Lutz, Tuchscherer, Andre, Mothes, Robert, Gordan, Ovidiu, Lehmann, Daniel, Haidu, Francisc, Ogiewa, Marcel, Gerlich, Lukas, Ding, Shao-Feng, Schulz, Stefan E., Gessner, Thomas, Lang, Heinrich, Zahn, Dietrich R.T., Qu, Xin-Ping
Publikováno v:
Semiconductor Conference Dresden (SCD), 27-28 Sept. 2011, Dresden, Germany; DOI: 10.1109/SCD.2011.6068736
In this work, an approach for copper atomic layer deposition (ALD) via reduction of CuxO films was investigated regarding applications in ULSI interconnects, like Cu seed layers directly grown on diffusion barriers (e. g. TaN) or possible liner mater
Autor:
Dhakal, Dileep, Waechtler, Thomas, E. Schulz, Stefan, Gessner, Thomas, Lang, Heinrich, Mothes, Robert, Tuchscherer, Andre
This article has been published online on 21st May 2014, in Journal of Vacuum Science & Technology A: Vac (Vol.32, Issue 4): http://scitation.aip.org/content/avs/journal/jvsta/32/4/10.1116/1.4878815?aemail=author DOI: 10.1116/1.4878815 This article m
Publikováno v:
In Journal of Colloid And Interface Science 15 September 2013 406:256-262
Autor:
Schoner, Claudia, Tuchscherer, André, Blaudeck, Thomas, Jahn, Stephan F., Baumann, Reinhard R., Lang, Heinrich
Publikováno v:
In Thin Solid Films 15 March 2013 531:147-151
Autor:
Tuchscherer, André, Shen, Yingzhong, Jakob, Alexander, Mothes, Robert, Al-Anber, Mohammed, Walfort, Bernhard, Rüffer, Tobias, Frühauf, Swantje, Ecke, Ramona, Schulz, Stephan E., Gessner, Thomas, Lang, Heinrich
Publikováno v:
In Inorganica Chimica Acta 2011 365(1):10-19
Autor:
Mueller, Steve, Waechtler, Thomas, Hofmann, Lutz, Tuchscherer, Andre, Mothes, Robert, Gordan, Ovidiu, Lehmann, Daniel, Haidu, Francisc, Ogiewa, Marcel, Gerlich, Lukas, Ding, Shao-Feng, Schulz, Stefan E., Gessner, Thomas, Lang, Heinrich, Zahn, Dietrich R.T., Qu, Xin-Ping
Publikováno v:
Semiconductor Conference Dresden (SCD), 27-28 Sept. 2011, Dresden, Germany; DOI: 10.1109/SCD.2011.6068736
In this work, an approach for copper atomic layer deposition (ALD) via reduction of CuxO films was investigated regarding applications in ULSI interconnects, like Cu seed layers directly grown on diffusion barriers (e. g. TaN) or possible liner mater
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______218::e7d72e266f138c0dfe16af5e8a18b368
https://monarch.qucosa.de/id/qucosa:19675
https://monarch.qucosa.de/id/qucosa:19675
Autor:
Tuchscherer, André, Schaarschmidt, Dieter, Schulze, Steffen, Hietschold, Michael, Lang, Heinrich
Publikováno v:
In Inorganic Chemistry Communications 2011 14(5):676-678
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.