Zobrazeno 1 - 10
of 10
pro vyhledávání: '"Tülek, R."'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Ağızaçmak, S., Tülek, R., Gökden, S., Teke, A., Arslan, E., Ayse Melis Aygar, Özbay, Ekmel
Publikováno v:
Optoelectronics and Advanced Materials, Rapid Communications
BASE-Bielefeld Academic Search Engine
BASE-Bielefeld Academic Search Engine
Ağızaçmak, Selman (Balikesir Author)
In this study, the Hall effect measurement of graphene on SiC substrate was carried out as a function of temperature (12-300 K). Hall data were first analyzed to extract the temperature dependent mobilitie
In this study, the Hall effect measurement of graphene on SiC substrate was carried out as a function of temperature (12-300 K). Hall data were first analyzed to extract the temperature dependent mobilitie
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::0671f9a15d6b953dc7fd84942d96dedf
https://hdl.handle.net/11693/36431
https://hdl.handle.net/11693/36431
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Optoelectronics and Advanced Materials
Scopus-Elsevier
Scopus-Elsevier
Ilgaz, Aykut (Balıkesir author)
In this work, the hot-electron transport properties of AlInN/AlN/GaN HEMT structures with a high sheet electron density of 4.84x10(13) cm(-2) grown by MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) on sapphire s
In this work, the hot-electron transport properties of AlInN/AlN/GaN HEMT structures with a high sheet electron density of 4.84x10(13) cm(-2) grown by MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) on sapphire s
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::e3bbc8714e778e339d28a1b405290af9
https://hdl.handle.net/11693/12627
https://hdl.handle.net/11693/12627
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Teke, A., Gökden, S., Tülek, R., Leach, J. H., Fan, Q., Xie, J., Özgür, Ü., Morkoç, H., Lisesivdin, S. B., Özbay, E.
Publikováno v:
New Journal of Physics; Jun2009, Vol. 11 Issue 6, p1-12, 12p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.