Zobrazeno 1 - 10
of 51
pro vyhledávání: '"Tsyranov, S. N."'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Rukin, S. N.1 rukin@iep.uran.ru, Tsyranov, S. N.1
Publikováno v:
Technical Physics. Nov2009, Vol. 54 Issue 11, p1591-1596. 6p. 5 Graphs.
Autor:
Rukin, S. N.1 rukin@iep.uran.ru, Tsyranov, S. N.1
Publikováno v:
Semiconductors. Jul2009, Vol. 43 Issue 7, p957-962. 6p. 5 Graphs.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Rukin, S. N., Tsyranov, S. N.
Publikováno v:
Technical Physics Letters. Sep2000, Vol. 26 Issue 9, p824. 3p.
Autor:
Tsyranov, S. N.
Publikováno v:
CriMiCo 2012-2012 22nd International Crimean Conference Microwave and Telecommunication Technology, Conference Proceedings
Numerical methods were used to investigate the operation of the diffusive silicon p+-p-n+ diode. The reversed current density of 50 kA/cm2 passed through the diode having the width of 320 μm, p-n junction depth of 220 μm, and surface area of 0.5 cm
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______917::35caa19f91e6cf1b6b6ec66ec523541a
https://hdl.handle.net/10995/51284
https://hdl.handle.net/10995/51284
