Zobrazeno 1 - 10
of 61 146
pro vyhledávání: '"Tsv"'
Thermomechanical stress induced by through-silicon vias (TSVs) plays an important role in the performance and reliability analysis of 2.5D/3D ICs. While the finite element method (FEM) adopted by commercial software can provide accurate simulation re
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2411.12690
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Binbin Jiao, Jingping Qiao, Shiqi Jia, Ruiwen Liu, Xueyong Wei, Shichang Yun, Yanmei Kong, Yuxin Ye, Xiangbin Du, Lihang Yu, Bo Cong
Publikováno v:
Engineering, Vol 38, Iss , Pp 201-208 (2024)
In three-dimensional (3D) stacking, the thermal stress of through-silicon via (TSV) has a significant influence on chip performance and reliability, and this problem is exacerbated in high-density TSV arrays. In this study, a novel hollow tungsten TS
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/207a6a51b9ad4f67a1e674105750a6ea
Publikováno v:
Journal of Materials Research and Technology, Vol 31, Iss , Pp 679-688 (2024)
Through Silicon Vias (TSV) are crucial in semiconductor technology for vertically connecting multiple stacks in 3D packaging. High aspect ratio, smooth and slightly tapered TSVs enhance layout efficiency and void-free filling. Being contact-less and
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/18481c406e004090bcb845f067e7f280
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.