Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"Tsunehiro Nakajima"'
Autor:
Yoshikazu Takahashi, Tsunehiro Nakajima, Hiroki Wakimoto, Masaaki Ogino, Haruo Nakazawa, David Hongfei Lu
Publikováno v:
2011 IEEE 23rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs.
We newly developed a 1200V Reverse Blocking (RB)-IGBT used to form bi-directional switches in advanced Neutral-Point-Clamped (A-NPC) 3-Level modules. It featured a hybrid through-silicon isolation structure combining wafer front-side boron deep diffu
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7de71dfe13741e976a55a2c74c1af975
https://doi.org/10.1109/ispsd.2011.5890804
https://doi.org/10.1109/ispsd.2011.5890804
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.