Zobrazeno 1 - 10
of 235
pro vyhledávání: '"Tsetseris Leonidas"'
Publikováno v:
Nanophotonics, Vol 12, Iss 8, Pp 1491-1498 (2023)
Due to their atomic-scale thickness, handling and processing of two-dimensional (2D) materials often require multistep techniques whose complexity hampers their large-scale integration in modern device applications. Here we demonstrate that the laser
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/83b299b52c854c6fad99f67c03fc5bde
Autor:
Ling, Zhaoheng a, ⁎, 1, Wu, Jingnan b, c, 1, Jurado, José P. a, Petoukhoff, Christopher E. a, Jeong, Sang Young d, Naphade, Dipti a, Babics, Maxime a, Chang, Xiaoming a, Faber, Hendrik a, Doukas, Spyros e, Lidorikis, Elefterios e, Nugraha, Mohamad Insan a, f, He, Mingjie a, Alqurashi, Maryam a, Lin, Yuanbao g, Sun, Xiaokang h, Hu, Hanlin h, Woo, Han Young d, De Wolf, Stefaan a, Tsetseris, Leonidas i, Laquai, Frédéric a, Yu, Donghong c, j, Wang, Ergang b, ⁎, Anthopoulos, Thomas D. a, k, ⁎⁎
Publikováno v:
In Materials Science & Engineering R April 2025 163
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Nanoscale Research Letters, Vol 6, Iss 1, p 245 (2011)
Abstract The electronic properties of multi-walled carbon nanotubes (MWCNTs) depend on the positions of their walls with respect to neighboring shells. This fact can enable several applications of MWCNTs as nano-electromechanical systems (NEMS). In t
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/7b5bcde943a24058a57f5d06451f1810
Autor:
Lin, Yen-Hung, Li, Wen, Faber, Hendrik, Hastas, Nikolaos A., Khim, Dongyoon, Zhang, Qiang, Zhang, Xixiang, Pliatsikas, Nikolaos, Tsetseris, Leonidas, Patsalas, Panos A., Bradley, Donal D. C., Huang, Wei, Anthopoulos, Thomas D.
Publikováno v:
Nature Electronics 2, 587-595 (2019)
Metal oxide thin-film transistors are fast becoming a ubiquitous technology for application in driving backplanes of organic light-emitting diode displays. Currently all commercial products rely on metal oxides processed via physical vapor deposition
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1910.11013
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Gagaoudakis, Emmanouil, Kampitakis, Viktor, Moschogiannaki, Marilena, Sfakianou, Angeliki, Anthopoulos, Thomas, Tsetseris, Leonidas, Kiriakidis, George, Deligeorgis, George, Iacovella, Fabrice, Binas, Vasileios
Publikováno v:
In Sensors and Actuators: A. Physical 1 May 2022 338