Zobrazeno 1 - 3
of 3
pro vyhledávání: '"Tseng, Yuan‐Hong"'
Publikováno v:
In Applied Thermal Engineering 2012 32:100-107
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Tseng, Yuan-Hong, 曾元宏
98
Carrier-trapping memory devices (eg., FLASH, SONOS etc.) have several inherent scaling limits, such as random dopant fluctuation, random telegraph noise, and minimum tunnel oxide thickness. In order to solve the problems above, a new type of
Carrier-trapping memory devices (eg., FLASH, SONOS etc.) have several inherent scaling limits, such as random dopant fluctuation, random telegraph noise, and minimum tunnel oxide thickness. In order to solve the problems above, a new type of
Externí odkaz:
http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/2zbu4q
