Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"Tsatsulnikov, Andrei F."'
Autor:
Karpov, S.Y., Cherkashin, Nikolay, Lundin, Wsevolod V., Nikolaev, Andrey E., Sakharov, Alexei V., Sinitsin, M.A., Usov, S.O., Zavarin, E.E., Tsatsulnikov, Andrei F.
Publikováno v:
physica status solidi (a)
physica status solidi (a), Wiley, 2016, 213 (1), pp.19-29. ⟨10.1002/pssa.201532491⟩
physica status solidi (a), 2016, 213 (1), pp.19-29. ⟨10.1002/pssa.201532491⟩
physica status solidi (a), Wiley, 2016, 213 (1), pp.19-29. ⟨10.1002/pssa.201532491⟩
physica status solidi (a), 2016, 213 (1), pp.19-29. ⟨10.1002/pssa.201532491⟩
cited By 6; International audience; InGaN-based monolithic multi-color light emitting diodes (LEDs) are studied both experimentally and theoretically with the focus on factors controlling their emission spectra and efficiency. A number of LEDs with d
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::cda0081a223b337ab6b24b9d5ee91104
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01721146
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01721146
Autor:
Tsatsulnikov, Andrei F., Lundin, Wsevolod V., Sakharov, Alexei V., Nikolaev, Andrey E., Zavarin, E.E., Usov, S.O., Yagovkina, Maria A., Hÿtch, Martin, Korytov, Maxim, Cherkashin, Nikolay
Publikováno v:
Science of advanced materials
Science of advanced materials, American Scientific Publishers, 2015, 7 (8), pp.1629-1635. 〈10.1166/sam.2015.2277〉
Science of advanced materials, 2015, 7 (8), pp.1629-1635. ⟨10.1166/sam.2015.2277⟩
Science of advanced materials, American Scientific Publishers, 2015, 7 (8), pp.1629-1635. ⟨10.1166/sam.2015.2277⟩
Science of advanced materials, American Scientific Publishers, 2015, 7 (8), pp.1629-1635. 〈10.1166/sam.2015.2277〉
Science of advanced materials, 2015, 7 (8), pp.1629-1635. ⟨10.1166/sam.2015.2277⟩
Science of advanced materials, American Scientific Publishers, 2015, 7 (8), pp.1629-1635. ⟨10.1166/sam.2015.2277⟩
cited By 4; International audience; Here, we develop a technological approach to the formation of three-dimensional island-like structures in the active medium of InGaN/GaN based light emitting diodes with an enhanced efficiency with respect to refer
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::e9587ec8d5121ad6ff0b07967d3c4b71
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01721151/document
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01721151/document
Autor:
Barettin, Daniele, Maur, Matthias Auf Der, Pecchia, Alessandro, Rodrigues, Walter, Tsatsulnikov, Andrei F, Sakharov, Alexei V, Wsevolod V Lundin, A E Nikolaev, Cherkashin, Nikolay, H¨Ytch, Martin J, Sergey, Yu, Karpov, Aldo, Carlo, Di
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3a48db01493a7a5357e2e208f4bf106a
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Jeon, Heonsu, Tu, Li-Wei, Krames, Michael R., Strassburg, Martin, Zulonas, Modestas, Titkov, Ilya E., Yadav, Amit, Fedorova, Ksenia A., Tsatsulnikov, Andrei F., Lundin, Wsevolod V., Sakharov, Alexey V., Slight, Thomas, Meredith, Wyn, Rafailov, Edik U.
Publikováno v:
Proceedings of SPIE; March 2016, Vol. 9768 Issue: 1 p97680N-97680N-9, 879130p
