Zobrazeno 1 - 10
of 1 497
pro vyhledávání: '"Truong, D."'
Autor:
Ernst, D. R., Bortolon, A., Chang, C. S., Ku, S., Scotti, F., Wang, H. Q., Yan, Z., Chen, Jie, Chrystal, C., Glass, F., Haskey, S., Hood, R., Khabanov, F., Laggner, F., Lasnier, C., McKee, G. R., Rhodes, T. L., Truong, D., Watkins, J.
Publikováno v:
Phys. Rev. Lett. 132, 235102 (2024)
Multi-machine empirical scaling predicts an extremely narrow heat exhaust layer in future high magnetic field tokamaks, producing high power densities that require mitigation. In the experiments presented, the width of this exhaust layer is nearly do
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2403.00185
Autor:
Cappelli, L., Guterl, J., Fedorczak, N., Rudakov, D.L., Sinclair, G., Abrams, T., Di Genova, S., Losada, U., Bykov, I., Popović, Ž., Truong, D., Watkins, J., Wilcox, R.S., Wampler, W.R., Serre, E.
Publikováno v:
In Nuclear Materials and Energy December 2023 37
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Rintu Thomas, John Michael Jerome, Truong D. Dang, Eric P. Souto, Joshua N. Mallam, David R. Rowley
Publikováno v:
Cell Communication and Signaling, Vol 20, Iss 1, Pp 1-19 (2022)
Abstract Background Bone metastatic prostate cancer does not completely respond to androgen-targeted therapy and generally evolves into lethal castration resistant prostate cancer (CRPC). Expression of AR-V7- a constitutively active, ligand independe
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/f1b470da9df746d18e033a47911f33e8
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Precision Engineering January 2022 73:214-227
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IOP Conference Series: Earth & Environmental Science; 2024, Vol. 1345 Issue 1, p1-16, 16p
Autor:
Ng, Kar Wei, Tran, Thai-Truong D., Ko, Wai Son, Chen, Roger, Lu, Fanglu, Chang-Hasnain, Connie J.
Monolithic integration of III-V optoelectronic devices with materials for various functionalities inexpensively is always desirable. Polysilicon (poly-Si) is an ideal platform because it is dopable and semi-conducting and can be deposited and pattern
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1310.7316