Zobrazeno 1 - 10 of 48 pro vyhledávání: '"Trunek, Andrew"'
1
Akademický článek
Increased nitrogen doping of thin lateral SiC cantilevers
Autor: Trunek, Andrew J., Neudeck, Philip G., Matocha, Kevin, Dunne, Greg
Publikováno v: In Journal of Crystal Growth 2008 310(7):1794-1798
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Enlargement of step-free SiC surfaces by homoepitaxial web growth of thin SiC cantilevers.
Autor: Neudeck, Philip G., Powell, J. Anthony, Beheim, Glenn M., Benavage, Emye L., Abel, Phillip B., Trunek, Andrew J., Spry, David J., Dudley, Michael, Vetter, William M.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 9/1/2002, Vol. 92 Issue 5, p2391, 10p, 6 Black and White Photographs, 1 Diagram, 1 Chart, 1 Graph
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
4
Akademický článek
Study of Defect Structures in 6H-SiC a/ m-Plane Pseudofiber Crystals Grown by Hot-Wall CVD Epitaxy.
Autor: Goue, Ouloide, Raghothamachar, Balaji, Yang, Yu, Guo, Jianqiu, Dudley, Michael, Kisslinger, Kim, Trunek, Andrew, Neudeck, Philip, Spry, David, Woodworth, Andrew
Publikováno v: Journal of Electronic Materials; Apr2016, Vol. 45 Issue 4, p2078-2086, 9p, 6 Diagrams, 2 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
6
Conference
Lateral/vertical Homoepitaxial Growth on 4H-SiC Surfaces Controlled by Dislocations.
Autor: Picard, Yoosuf N., Trunek, Andrew J., Neudeck, Philip G., Twigg, Mark E.
Publikováno v: MRS Online Proceedings Library; 2008, Vol. 1069 Issue 1, p1-6, 6p
Zobrazit plný text záznamu
9
Conference
Atomic Force Microscope Observation of Growth and Defects on As-Grown (111) 3C-SiC Mesa Surfaces.
Autor: Neudeck, Philip G., Trunek, Andrew J., Powell, J. Anthony
Publikováno v: MRS Online Proceedings Library; 2004, Vol. 815 Issue 1, p193-198, 6p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje