Zobrazeno 1 - 10
of 24
pro vyhledávání: '"Trui, B."'
Autor:
Kelwing, T., Naumann, A., Trentzsch, M., Graetsch, F., Bayha, B., Herrmann, L., Trui, B., Rudolph, D., Lipp, D., Krause, G., Carter, R., Stephan, R., Kücher, P., Hansch, W.
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 2011 88(2):141-144
Fabrication and characterization of buried silicide layers on SOI substrates for BICMOS-applications
Autor:
Zimmermann, S., Zhao, Q.T., Trui, B., Wiemer, M., Kaufmann, C., Mantl, S., Dudek, V., Gessner, T.
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 2005 82(3):454-459
Autor:
Weinreich, W., Tauchnitz, T., Polakowski, P., Drescher, M., Riedel, S., Sundqvist, J., Seidel, K., Shirazi, M., Elliott, S.D., Ohsiek, S., Erben, E., Trui, B.
ZrO2 is of very high interest for various applications in semiconductor industry especially as high-k dielectric in metal insulator metal (MIM) capacitor devices. Further improvement of deposition processes, of material properties, and of integration
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______610::7404914fa907e08cfab2a93487b1f985
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/232017
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/232017
Autor:
Kelwing, T., Naumann, A., Trentzsch, M., Trui, B., Herrmann, L., Mutas, S., Graetsch, F., Carter, R., Stephan, R., Kücher, P., Hansch, W.
For the first time, HfZrO4 dielectrics deposited with metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) as well as atomic layer deposition (ALD) have been investigated as high-k gate dielectric for 32-nm high-performance logic SOI complementary metal-o
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______610::b71ed1470dc017a4dc83135dd29d5032
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/222812
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/222812
Autor:
Zhao, Q.T., Bay, H.L., Zimmermann, S., Wiemer, M., Kaufmann, C., Trui, B., Höhnemann, H., Dudek, V., Mantl, S.
A silicon-on-metal-on-insulator substrate, consisting of a top Si layer, a buried COSi2 layer and a buried SiO2 layer on a Si (100) substrate was formed using Co silicidation, wafer bonding and wafer splitting. It is shown that the buried silicide la
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______610::cc5ada9c6bb3b69d8216fd305f1f9f78
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/211300
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/211300
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Materials Science Forum; January 2000, Vol. 321 Issue: 1 p457-462, 6p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.