Zobrazeno 1 - 10
of 184
pro vyhledávání: '"Troppenz U"'
Autor:
Dietrich, P. -I., Blaicher, M., Reuter, I., Billah, M., Hoose, T., Hofmann, A., Caer, C., Dangel, R., Offrein, B., Troppenz, U., Freude, W., Koos, C.
Hybrid photonic integration exploits complementary strengths of different material platforms, thereby offering superior performance and design flexibility in comparison to monolithic approaches. This applies in particular to multi-chip concepts, wher
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1802.00051
Autor:
Theurer, M., Kottke, C., Freund, R., Ganzer, F., Runge, P., Moehrle, M., Troppenz, U., Sigmund, A., Schell, M.
Publikováno v:
Optical Fiber Communication Conference (OFC) 2023
We demonstrate an EML-array for up to 4x200 Gb/s PAM4 modulation at 45°C. Its single MQW layer stack design allows for low-cost fabrication. The device is optimized for equal performance over four LAN-WDM wavelength channels.
Autor:
Stamataki, I., Kapsalis, A., Mikroulis, S., Syvridis, D., Hamacher, M., Troppenz, U., Heidrich, H.
Publikováno v:
In Optics Communications 2009 282(12):2388-2393
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability 2006 46(2):421-431
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Theurer, M., Zhang, H.Y., Wang, Y., Chen, W., Chen, L., Zeng, Troppenz, U., Przyrembel, G., Sigmund, A., Möhrle, M., Schell, M.
In this paper, we present a novel device which comprises a DFB laser with electroabsorption modulators integrated on both sides. This integrated chip provides two independently modulated optical outputs from a single laser source and thus cuts the re
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______610::52d826e9f7e8ae2626a3cead5fd532ac
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/251167
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/251167
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Wruck, D., Boyn, R., Wienecke, M., Henneberger, F., Troppenz, U., Hu¨ttl, B., Bohne, W., Reinhold, B., Mahnke, H.-E.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 3/1/2002, Vol. 91 Issue 5, p2847, 6p, 1 Chart, 5 Graphs
We demonstrate an L-band InGaAlAs based electroabsorption modulated DFB laser integrated with a semiconductor optical amplifier. The device can be operated with up to 56 Gb s−1 with low chirp and high output power. The device is realized with one c
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______610::d5e02d1a7cc4e1474d3ae9b8f86088a9
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/243875
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/243875