Zobrazeno 1 - 10
of 61
pro vyhledávání: '"Tronic, Tristan"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Debashis, Punyashloka, Ryu, Hojoon, Steinhardt, Rachel, Buragohain, Pratyush, Plombon, John J., Maxey, Kirby, O’Brien, Kevin P., Kim, Raseong, Sen Gupta, Arnab, Rogan, Carly, Lux, Jennifer, Tung, I-Cheng, Adams, Dominique, Gulseren, Melisa Ekin, Verma Penumatcha, Ashish, Shivaraman, Shriram, Li, Hai, Zhong, Ting, Harlson, Shane, Tronic, Tristan, Oni, Adedapo, Putna, Steve, Clendenning, Scott B., Metz, Matthew, Radosavljevic, Marko, Avci, Uygar, Young, Ian A.
Publikováno v:
Nano Letters; October 2024, Vol. 24 Issue: 40 p12353-12360, 8p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Polyhedron 5 September 2016 115:257-263
Autor:
Carl H. Naylor, Chelsey Dorow, O'brien Kevin P, Kirby Maxey, Arnab Sen Gupta, Andy Hsiao, Tronic Tristan A, Penumatcha Ashish Verma, Scott B. Clendenning, Gosavi Tanay, Matthew V. Metz, Michael Christenson, Sudarat Lee, Robert L. Bristol, Uygar E. Avci, Alaan Urusa, A. A. Oni, Hui Zhu
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 68:6592-6598
2-D-material channels enable ultimate scaling of MOSFET transistors and will help Moore's Law scaling for years. We demonstrate the state of both n- and p-MOSFETs using monolayer transition metal dichalcogenide (TMD) channels of sub-1 nm thickness an
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d41c0f0bcfb98257799a5d37068b6f06
https://doi.org/10.1109/ted.2021.3118659
https://doi.org/10.1109/ted.2021.3118659
Publikováno v:
In Inorganica Chimica Acta 2011 369(1):126-132
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Ibrahim Ban, Robert L. Bristol, Han Wui Then, Pratik Koirala, Tronic Tristan A, Kimin Jun, Rajat Kanti Paul, Nicole K. Thomas, Chouksey Siddharth, Hafez Walid M, D. Staines, W. Rachmady, P. Agababov, Fischer Paul B, T. Talukdar, Kevin Lin, T. Michaelos, Huang Cheng-Ying, Brandon Holybee, B. Krist, Marko Radosavljevic, Manish Chandhok, J. Peck
Publikováno v:
2020 IEEE Symposium on VLSI Technology.
We expand on our work in [1] by demonstrating both Si P- and NMOS finfet transistors monolithically integrated with GaN transistors on 300mm Si(111) wafers using 3D integration. With the Si finfet architecture, we are able to take advantage of the fi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c5cdd33209407d260c3d7c77c1e3104f
https://doi.org/10.1109/vlsitechnology18217.2020.9265093
https://doi.org/10.1109/vlsitechnology18217.2020.9265093
Autor:
Sansaptak Dasgupta, Robert L. Bristol, D. Staines, Kimin Jun, Fischer Paul B, J. Peck, Rajat Kanti Paul, Hafez Walid M, Nicole K. Thomas, Ibrahim Ban, Huang Cheng-Ying, Mueller Brennen, W. Rachmady, T. Michaelos, Kevin Lin, Marko Radosavljevic, Chouksey Siddharth, Manish Chandhok, Nidhi Nidhi, Tronic Tristan A, B. Krist, Han Wui Then, P. Agababov, Brandon Holybee, T. Talukdar
Publikováno v:
2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).
We have demonstrated industry’s first 300mm 3D heterogeneous integration of high performance, low-leakage high-K dielectric metal gate enhancement-mode (e-mode) GaN NMOS and Si PMOS transistors on 300mm high-resistivity (HR) Si(111) substrate, enab
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::962c86068c20b2fc0961aaf1161bb031
https://doi.org/10.1109/iedm19573.2019.8993583
https://doi.org/10.1109/iedm19573.2019.8993583
Autor:
Tronic Tristan A, Colin T. Carver, Satyarth Suri, John J. Plombon, Patricio E. Romero, Robert B. Turkot
Publikováno v:
ECS Journal of Solid State Science and Technology. 4:N5005-N5009
This paper provides an industry perspective on atomic layer etching (ALEt) process. Two process sequences representing two different methods of ALEt are described, followed by several examples where ALEt can be an enabling process technology in the s
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8b31502893460beed99a60061bd76175
https://doi.org/10.1149/2.0021506jss
https://doi.org/10.1149/2.0021506jss