Zobrazeno 1 - 10
of 10
pro vyhledávání: '"Trisnawati, Iga"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Prameswara, Gyan, Trisnawati, Iga, Handini, Tri, Poernomo, Herry, Mulyono, Panut, Prasetya, Agus, Bayu Petrus, Himawan Tri Murti
Publikováno v:
International Journal of Technology; 2023, Vol. 14 Issue 4, p770-779, 10p
Autor:
Supriadi, Harry, Trisnawati, Iga, Handini, Tri, Susilowati, Sri Rinanti, Sujoto, Vincent Sutresno Hadi, Mulyono, Panut, Petrus, Himawan Tri Bayu Murti
Publikováno v:
Indonesian Journal of Chemistry; Vol 23, No 2 (2023); 489-498
From the analysis of zircon tailings using X-Ray Fluorescence (XRF), Yttrium is a rare earth element (REE) with the highest concentration compared to other REEs. The purpose of this study is to determine the best kinetic model for describing how sulf
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Trisnawati, Iga, Prameswara, Gyan, Mulyono, Panut, Prasetya, Agus, Murti Petrus, Himawan Tri Bayu
Publikováno v:
International Journal of Technology; Oct2020, Vol. 11 Issue 4, p804-816, 13p