Zobrazeno 1 - 10
of 483
pro vyhledávání: '"Trench mosfet"'
Autor:
Jiafei Yao, Yuao Liu, Ang Li, Xue Han, Qing Yao, Kemeng Yang, Man Li, Jing Chen, Maolin Zhang, Jun Zhang, Yufeng Guo
Publikováno v:
IET Power Electronics, Vol 17, Iss 7, Pp 869-877 (2024)
Abstract This paper proposes and investigates a novel 4H‐SiC trench MOSFET (TMOS) with integrated high‐K deep trench and gate dielectric (INHK‐TMOS). The integrated high‐K (INHK) consists of a high‐K gate dielectric and an extended high‐K
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/4f7afb10a0ee44b982ebca723cf9b96f
Autor:
Sun, Shuqing a, Chen, Feida a, b, ⁎, Sun, Yongbo a, Li, Yongxing a, Yang, Kun a, Tang, Xiaobin a, b, ⁎
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability January 2025 164
Autor:
Binder, Andrew T. ⁎, a, Cooper, James A. b, Steinfeldt, Jeffrey a, Allerman, Andrew A. a, Floyd, Richard a, Yates, Luke a, Kaplar, Robert J. a
Publikováno v:
In e-Prime - Advances in Electrical Engineering, Electronics and Energy September 2023 5
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 11, Pp 46998-47006 (2023)
This work proposes a vertical gallium nitride (GaN) parallel split gate trench MOSFET (PSGT-MOSFET) device architecture suitable for power conversion applications. Wherein two parallel gates, and a field plate are introduced vertically on the sidewal
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/bb3d686cf5c448c0b02be3dfbf3a1f88
Autor:
Andrew T. Binder, James A. Cooper, Jeffrey Steinfeldt, Andrew A. Allerman, Richard Floyd, Luke Yates, Robert J. Kaplar
Publikováno v:
e-Prime: Advances in Electrical Engineering, Electronics and Energy, Vol 5, Iss , Pp 100218- (2023)
This paper describes a process for forming a buried field shield in GaN by an etch-and-regrowth process, which is intended to protect the gate dielectric from high fields in the blocking state. GaN trench MOSFETs made at Sandia serve as the baseline
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b7c8e9011ad2440cbab5a3681ba9f291
Publikováno v:
Micromachines, Vol 15, Iss 4, p 461 (2024)
In this paper, a novel asymmetric trench SiC MOSFET with a Poly-Si/SiC heterojunction diode (HJD-ATMOS) is designed to improve its reverse conduction characteristics and switching performance. This structure features an integrated heterojunction diod
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c3517edc15c147e99f0252c67e871729
Autor:
Andrew T. Binder, Jeffrey Steinfeldt, Kevin J. Reilly, Richard S. Floyd, Peter T. Dickens, Joseph P. Klesko, Andrew A. Allerman, Robert J. Kaplar
Publikováno v:
Applied Physics Express, Vol 17, Iss 10, p 101003 (2024)
This work reports on high current density 1.2 kV class HfO _2 -gated vertical GaN trench metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs). An output current density of 330 mA mm ^−1 is reported at a drain bias of five volts, which, to o
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/6bfced98a96d4329bbc24d8325a7950f
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.