Zobrazeno 1 - 10
of 2 431
pro vyhledávání: '"Trench mosfet"'
Autor:
Yao, Jiafei a, b, Yang, Zhengfei a, b, Zhu, Yeqin a, b, Yao, Qing a, b, Chen, Jing a, b, Yang, Kemeng a, b, Li, Man a, b, Zhang, Maolin a, b, Zhang, Jun a, b, Guo, Yufeng a, b, ⁎
Publikováno v:
In Microelectronics Journal September 2024 151
Autor:
Wu, Lijuan ⁎, Yang, Guanglin, Yang, Deqiang, Tu, Zigui, Yuan, Jie, Zhao, Dongsheng, Liu, Mengjiao, Liang, Jiahui
Publikováno v:
In Microelectronics Journal September 2024 151
Autor:
Jiafei Yao, Yuao Liu, Ang Li, Xue Han, Qing Yao, Kemeng Yang, Man Li, Jing Chen, Maolin Zhang, Jun Zhang, Yufeng Guo
Publikováno v:
IET Power Electronics, Vol 17, Iss 7, Pp 869-877 (2024)
Abstract This paper proposes and investigates a novel 4H‐SiC trench MOSFET (TMOS) with integrated high‐K deep trench and gate dielectric (INHK‐TMOS). The integrated high‐K (INHK) consists of a high‐K gate dielectric and an extended high‐K
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/4f7afb10a0ee44b982ebca723cf9b96f
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Qiao, Ming a, b, c, ∗, Ma, Tao a, Dong, Shida a, Wang, Zhengkang a, Zhang, Shuhao a, Li, Zhaoji a, Zhang, Bo a
Publikováno v:
In Microelectronics Journal December 2022 130
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 15 May 2023 277