Zobrazeno 1 - 10
of 62
pro vyhledávání: '"Traveling carrier photodiode (UTC-PD)"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Photonics, Vol 10, Iss 4, p 471 (2023)
We theoretically analyzed the detailed carrier transport process based on the drift-diffusion model in the InGaAs/InP modified Uni-Traveling-Carrier Photodiode (MUTC-PD) under high optical input power conditions. A high-speed MUTC-PD design was simul
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/3bd30bf22de54ed486f0d3731d42b71f
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 5, Iss 1, Pp 40-44 (2017)
In this paper, top-illuminated InP-based uni-traveling-carrier photodiodes (UTC-PDs) with dipole-doped structure which achieve both high speed and high responsivity simultaneously have been reported. With optimization of device size and layer structu
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c3b6cfd5334742abaaf72a69a0bc07de
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Sjoerd van der Heide, Jasper de Graaf, Menno van den Hout, Idelfonso Tafur Monroy, Yuqing Jiao, Sander Reniers, L. Shen, Zizheng Cao, Kevin A. Williams, Xinran Zhao, Chigo Okonkwo, Simon Rommel, Dimitrios Konstantinou, Ton Koonen
Publikováno v:
IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics
IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, 28(2):3802010. Institute of Electrical and Electronics Engineers
IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, 28(2):3802010. Institute of Electrical and Electronics Engineers
In this work we have demonstrated a waveguide integrated uni-traveling carrier photodiode on an InP-membrane-on-silicon platform with 3 dB bandwidth beyond 110 GHz. With design optimization and an improved process, devices as small as $ \text{3}\time
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::d6331ae2236aadb4df0b3aa0ec687e08
http://www.scopus.com/inward/record.url?scp=85114746124&partnerID=8YFLogxK
http://www.scopus.com/inward/record.url?scp=85114746124&partnerID=8YFLogxK
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 5, Iss 1, Pp 40-44 (2017)
In this paper, top-illuminated InP-based uni-traveling-carrier photodiodes (UTC-PDs) with dipole-doped structure which achieve both high speed and high responsivity simultaneously have been reported. With optimization of device size and layer structu
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::f131ef03535341aa9609ac02a91f9019
https://doi.org/10.1109/jeds.2016.2623815
https://doi.org/10.1109/jeds.2016.2623815
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.