Zobrazeno 1 - 10
of 10
pro vyhledávání: '"Travan, Caterina"'
Autor:
Estévez, Jorge Eduardo Adatti, Hecht, Fabian, Wittmann, Sebastian, Sawallich, Simon, Weber, Annika, Travan, Caterina, Hopperdietzl, Franz, Krumbein, Ulrich, Lemme, Max Christian
Publikováno v:
Adv. Mater. Interfaces, 11, 2301095, 2024
Dispersion-based graphene materials are promising candidates for various sensing applications. They offer the advantage of relatively simple and fast deposition via spin-coating, Langmuir-Blodgett deposition, or inkjet printing. Film uniformity and r
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2311.12650
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Adatti Estévez, Jorge Eduardo, Hecht, Fabian, Wittmann, Sebastian, Sawallich, Simon, Weber, Annika, Travan, Caterina, Hopperdietzl, Franz, Krumbein, Ulrich, Lemme, Max Christian
Publikováno v:
Advanced Materials Interfaces; 6/26/2024, Vol. 11 Issue 18, p1-13, 13p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Communications Software & Systems; 2020, Vol. 16 Issue 1, p19-29, 11p
Publikováno v:
2014 22nd International Conference on Software, Telecommunications & Computer Networks (SoftCOM); 2014, p414-418, 5p
Publikováno v:
2014 22nd International Conference on Software, Telecommunications & Computer Networks (SoftCOM); 2014, p1-3, 3p
Publikováno v:
SoftCOM
In this paper, the hardware implementation of a burst error channel and a burst erasure channel simulator in Cyclone II Field Programmable Gate Array (FPGA) is proposed. In telecommunications, a burst error channel is a data transmission channel in w
This comprehensive reference text discusses novel semiconductor devices, including nanostructure field-effect transistors, photodiodes, high electron mobility transistors, and oxide-based devices. The text covers submicron semiconductor devices, devi