Zobrazeno 1 - 10
of 672
pro vyhledávání: '"Transmission-line pulse"'
Autor:
Wei-Cheng Wang, Ming-Dou Ker
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 12, Pp 760-769 (2024)
When more circuit functions are integrated into a single chip fabricated by the GaN-on-Silicon process, the need for on-chip electrostatic discharge (ESD) protection design becomes crucial to safeguard GaN integrated circuits (ICs). In this work, the
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c812b251c91d44b28f446af7b8bb188f
Publikováno v:
Micromachines, Vol 15, Iss 9, p 1163 (2024)
On-chip electrostatic discharge (ESD) protection poses a challenge in the chip fabrication process. In this study, a novel electric fuse (E-fuse) device featuring a simple structure of Ni metal on a SiO2 dielectric for ESD protection was proposed, an
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/967a78c8db494124a17613affd4b24e8
Autor:
Yi-Chun Huang, Ming-Dou Ker
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 11, Pp 84-94 (2023)
The power-rail electrostatic discharge (ESD) clamp circuits have been widely used in CMOS integrated circuits (ICs) to provide effective discharging paths for on-chip ESD protection design. Among all ESD events, the most serious threat is posed to IC
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/78d81ee089fa42d69181c7f029e3e4bd
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 9, Pp 108-113 (2021)
The ultra-high voltage (UHV) Lateral-diffused MOSFET (LDMOS) transistor has been widely used in power circuit applications and also used as an electrostatic discharge (ESD) self-protection device. However, the ESD ability of an UHV LDMOS is generally
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/f24882c1daf84431a0039a0909b1c280