Zobrazeno 1 - 10
of 1 067
pro vyhledávání: '"Transistors HEMTs"'
Autor:
Soumak Nandi, Shashank Kumar Dubey, Mukesh Kumar, Amit Krishna Dwivedi, Manisha Guduri, Aminul Islam
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 11, Pp 133115-133130 (2023)
This work proposes a 100 nm metamorphic InP HEMT with an InAs channel inset for cryogenic environment millimetre wave applications. The usage of an ultra-thin 2 nm barrier layer, unique composite channel topology and III-V material selection provides
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/8b8a83d9c2cd44b994077c441fa70286
Publikováno v:
IEEE Open Journal of the Industrial Electronics Society, Vol 4, Pp 123-134 (2023)
In this article, 650-V/7.5-A-rated enhancement-mode gallium nitride (GaN) high-electron-mobility transistors (HEMTs) with integrated gate drivers are characterized under thousands of accelerated thermal cycling (ATC) at different junction temperature
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/f4144d1d5c084c93829664e30dac7427
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Longge Deng, Likun Zhou, Hao Lu, Ling Yang, Qian Yu, Meng Zhang, Mei Wu, Bin Hou, Xiaohua Ma, Yue Hao
Publikováno v:
Micromachines, Vol 14, Iss 11, p 2104 (2023)
Passivation is commonly used to suppress current collapse in AlGaN/GaN HEMTs. However, the conventional PECV-fabricated SiNx passivation layer is incompatible with the latest process, like the “passivation-prior-to-ohmic” method. Research attenti
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/af82861b808340929b3f54491743aca7
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 10, Pp 59-64 (2022)
Surface traps on GaN-based HEMTs (high-electron-mobility transistors) usually result in the increase of channel on-resistance. It becomes worsen when short pulses are applied during high-frequency and high voltage switching. Here we present a dual-ga
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b6f9aa28ceb54898907200cd5ee12d2d