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pro vyhledávání: '"Transistores"'
Publikováno v:
Eletrônica de Potência, Vol 28, Iss 2 (2023)
Neste artigo, uma nova proposta de metodologia para estimativa de perdas em conversores que empregam transistores GaN do tipo Intensificação (eGaN) é apresentada. A metodologia proposta apresenta como diferenciais, em relação aos demais trabalho
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https://doaj.org/article/c3e9490c1df645e89c67f0dd86004c59
Publikováno v:
Maskay, Vol 11, Iss 2, Pp 14-22 (2021)
La innovación responsable en un país en desarrollo debe ser parte de la cultura universitaria. Procesos de innovación mundiales durante las dos últimas décadas presagian un desarrollo vertiginoso en la humanidad con aplicaciones prometedoras com
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https://doaj.org/article/49c99e68d5e94bbea98880e1ee2941d8
Publikováno v:
Ingeniería, Vol 30, Iss 1, Pp 25-43 (2019)
Se plantea el análisis de pérdidas del nuevo Convertidor DC-DC denominado 1-FB-1. El modelo resultante se puede utilizar para predecir con mayor exactitud las razones de conversión reales, que se obtendrían al utilizar elementos prácticos; así
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https://doaj.org/article/d0354587bd9f408ab93d254635e1a398
Publikováno v:
Revista Facultad de Ingeniería, Vol 28, Iss 52, Pp 99-122 (2019)
Este artículo presenta una técnica para mejorar el proceso de diseño industrial de transistores de microondas, basado en un diseño de experimentos mejorado (DOE) y un modelado electrotérmico (MET) expandido. El diseño de experimentos DOE permit
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https://doaj.org/article/f51ccc8f09124e8dba1afb9c47d2594e
Publikováno v:
Revista Facultad de Ingeniería, Vol 28, Iss 51, Pp 73-87 (2019)
En el presente trabajo se ha presentado un análisis de transistores de efecto de campo usando fuentes de voltaje pulsadas. Se han realizado medidas de microondas en dispositivos de tecnología HEMT’s y LDMOS poniendo en evidencia la diferencia ent
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https://doaj.org/article/6ab3a9f07ca54f2bbf8bec6409743206
Autor:
Freddy G. Del Pozo, Marta Mas-Torrent
Publikováno v:
Ingenius: Revista de Ciencia y Tecnología, Iss 26 (2021)
Transistores orgánicos de efecto de campo basados en un material compuesto han sido fabricados por medio de la técnica de deposición convectiva rápida. La fabricación fue llevada a cabo bajo condiciones ambientales (aire, luz y humedad). En todo
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https://doaj.org/article/2c8640405f0c41e789ff327f5afe6470
Autor:
Lima, Thiago Melo de
A tendência mundial de crescimento do consumo de energia elétrica requer novas unidades de geração para suprimento de demanda. Além disso, há preocupação na diversificação da matriz energética, e as fontes de energia nem sempre são de fá
Autor:
Torres, Henrique Lanza Faria
Frente à crescente necessidade de que novas tecnologias sejam capazes de operar com confiabilidade em ambientes hostis, a análise dos efeitos da radiação ionizante em dispositivos semicondutores se tornou um ramo de pesquisa em contínua ascensã
Autor:
Pino, Gabriel
This thesis is a combination of the development of numerical models regarding transient simulation of transmission lines and their advantages associated with fault location methods. The transmission line models presented in this work are in time-doma
Devido às dimensões cada vez mais reduzidas dos transistores e a utilização de novos materiais com baixa condutividade térmica, o desempenho de transistores avançados é afetado pelo autoaquecimento. Dispositivos sob os efeitos de autoaquecimen