Zobrazeno 1 - 10 of 219 pro vyhledávání: '"Transistor noise"'
1
Akademický článek
Development and validation of ANN approach for extraction of MESFET/HEMT noise model parameters.
Autor: Ɖorđević, Vladica1 vladica.djordjevic@icnt.rs, Marinković, Zlatica2, Marković, Vera2, Pronić-Rančić, Olivera2
Publikováno v: Electrical Engineering. Jun2018, Vol. 100 Issue 2, p645-651. 7p.
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Novel neural approach for parameter extraction of microwave transistor noise models.
Autor: Marinković, Zlatica1, Ivković, Nenad1, Pronić‐Rančić, Olivera1, Marković, Vera1, Caddemi, Alina2
Publikováno v: International Journal of Numerical Modelling. Nov/Dec2015, Vol. 28 Issue 6, p707-716. 10p.
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Numerical modeling and uncertainty analysis of transistor noise-parameter measurements.
Autor: Randa, James1
Publikováno v: International Journal of Numerical Modelling. Nov/Dec2015, Vol. 28 Issue 6, p628-638. 11p.
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
On the determination of noise parameters of low-noise transistor devices.
Autor: Seelmann‐Eggebert, M.1, Aja, B.1,2, Baldischweiler, B.1, Moschetti, G.1, Massler, H.1, Bruch, D.1, Schlechtweg, M.1, Ambacher, O.1
Publikováno v: International Journal of Numerical Modelling. Nov/Dec2015, Vol. 28 Issue 6, p684-697. 14p.
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Black-box noise modeling of GaAs HEMTs under illumination.
Autor: Colangeli, Sergio1, Ciccognani, Walter1, Limiti, Ernesto1, Caddemi, Alina2, Crupi, Giovanni2, Salvo, Giuseppe2
Publikováno v: International Journal of Numerical Modelling. Nov/Dec2015, Vol. 28 Issue 6, p698-706. 9p.
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Field-assisted emission in AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors using low-frequency noise technique.
Autor: Kayis, Cemil1, Zhu, C. Y.1, Wu, Mo1, Li, X.1, Özgür, Ümit1, Morkoç, Hadis1
Publikováno v: Journal of Applied Physics. Apr2011, Vol. 109 Issue 8, p084522. 5p. 2 Diagrams, 3 Graphs.
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Transitions between channel and contact regimes of low-frequency noise in many-layer MoS2 field effect transistors.
Autor: Kwon, Jiseok1,2, Janes, David B.1,2, Park, Joon Hyeong2, Delker, Collin J.3, Harris, Charles T.3, Swartzentruber, Brian3, Das, Suprem R.4,5
Publikováno v: Applied Physics Letters. 3/18/2019, Vol. 114 Issue 11, pN.PAG-N.PAG. 5p. 1 Color Photograph, 3 Graphs.
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Temperature dependence of conduction and low frequency noise characteristics in hydrogenated amorphous silicon thin film transistors.
Autor: Zhong, Kai1, Liu, Yuan2 eeliuyuan@gdut.edu.cn, Cai, Shu-Ting2, Xiong, Xiao-Ming2
Publikováno v: Modern Physics Letters B. Jan2019, Vol. 33 Issue 2, pN.PAG-N.PAG. 8p.
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
A New Model for the \(1/f\) Noise of Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors.
Autor: Wang, Mingxiang1, Wang, Ming1
Publikováno v: IEEE Transactions on Electron Devices. Sep2014, Vol. 61 Issue 9, p3258-3264. 7p.
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
On the origin of 1/f noise in polysilicon emitter bipolar transistors.
Autor: Deen, M. Jamal, Rumyantsev, S. L.
Publikováno v: Journal of Applied Physics. 1/15/1999, Vol. 85 Issue 2, p1192. 3p. 3 Graphs.
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje