Zobrazeno 1 - 10
of 11 957
pro vyhledávání: '"Transistor model"'
Autor:
Wang, Shengbo, Pei, Jingfang, Li, Cong, Li, Xuemeng, Tao, Li, Nathan, Arokia, Hu, Guohua, Gao, Shuo
Neuromorphic devices, with their distinct advantages in energy efficiency and parallel processing, are pivotal in advancing artificial intelligence applications. Among these devices, memristive transistors have attracted significant attention due to
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2408.15140
Autor:
Bitton, Sapir1 (AUTHOR), Alarcon-Espejo, Paula2 (AUTHOR), Paterson, Alexandra F.2 (AUTHOR), Tessler, Nir1 (AUTHOR) nir@technion.ac.il
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 9/28/2024, Vol. 136 Issue 12, p1-12. 12p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Solid State Electronics October 2021 184