Zobrazeno 1 - 10
of 312
pro vyhledávání: '"Transistor laser"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Lutai Fan, Peng Jia, Yuxin Lei, Qiang Cui, Yongyi Chen, Li Qin, Lei Liang, Cheng Qiu, Yue Song, Yubing Wang, Yongqiang Ning, Lijun Wang
Publikováno v:
Applied Sciences, Vol 12, Iss 9, p 4475 (2022)
The spontaneous emission recombination lifetime of carriers in the active region of transistor lasers (TLs) is significantly reduced due to the accelerated carrier transport in the base region under the collector bias. Thus, it has the potential for
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b197113da6974de899e44521d6ee9286
Publikováno v:
IEEE Photonics Journal, Vol 8, Iss 3, Pp 1-8 (2016)
The effects of doping in the multiquantum well (MQW) active region on the properties of InP-based long wavelength deep ridge transistor lasers (TLs) are numerically studied. Doping in the MQWs is shown to lead to a decrease of the slope efficiency an
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/001e846517714143931a457cdabbf0ec
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Defence Science Journal. 70:529-533
Theoretical analysis of Transistor Laser is carried out and the static and frequency responses for different collector voltages, under common emitter configuration are determined. The threshold current (Ith) is observed as 33mA and it increases linea
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::eafcbd49c8b69136bbec12e5f812adf4
https://doi.org/10.14429/dsj.70.16341
https://doi.org/10.14429/dsj.70.16341
Publikováno v:
Semiconductors. 54:77-84
The performance of a Multiple Quantum Well (MQW) Heterojunction Bipolar Transistor Laser (HBTL) has been studied using GeSn alloy. Both symmetric and asymmetric quantum wells have been considered. Main analysis is focused on finding the minority carr
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::fe22c3d184ba79c718ca4dce1454ee5b
https://doi.org/10.1134/s1063782620010212
https://doi.org/10.1134/s1063782620010212