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Estudo do casamento entre MOSFETs implementados com geometrias de porta não convencionais em ambientes de radiações de raios X
Autor: V. V. Peruzzi
Publikováno v: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da FEI
Centro Universitário da Fundação Educacional Inaciana (FEI)
instacron:FEI
Esta tese de doutorado ilustra os estudos das variabilidades e dos descasamentos entre dispositivos dos MOSFET do tipo "N" (nMOSFETs) de geometria de porta hexagonal (DnM), octogonal (OnM) e retangular (CnM), considerando-se quatro tipos diferentes d
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::4a039c7b4b15b446f1fadb213e6f333c
https://doi.org/10.31414/ee.2020.t.131323
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2
Projeto, implementação e modelagem compacta de transistores MOSFET na configuração pseudorresistor para circuitos aplificadores de biosinais
Autor: C. F. Pereira
Publikováno v: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da FEI
Centro Universitário da Fundação Educacional Inaciana (FEI)
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Este trabalho apresenta o desenvolvimento de um macromodelo PWL (PieceWise Linear) para a simulação SPICE de um pseudorresistor. A motivação da criação do modelo surgiu do fato que os pseudorresistores não conseguem ter o seu comportamento com
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::bc61a470ecd36ceda54b3490d1f76d8c
https://doi.org/10.31414/ee.2020.t.131160
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Simulação analítica de espelhos de corrente utilizando associação série do transistores SOI MOSFET
Autor: Paulo Rodrigues da Silva
Publikováno v: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da FEI
Centro Universitário da Fundação Educacional Inaciana (FEI)
instacron:FEI
Este trabalho apresenta uma análise das vantagens da utilização de associação série simétrica (S-SC) e assimétrica (A-SC) de SOI nMOSFETs em relação ao transistor SOI MOSFET isolado (ST) em blocos analógicos básicos. Além de apresentar a
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::694b6f8ed708d03afa87d4f5e2206ff9
https://repositorio.fei.edu.br/handle/FEI/3138
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Análise da densidade de carga de inversão na condição limiar, em função da temperatura, em UTBB SOI MOSFETS
Autor: N. C. C. Merzbahcer
Publikováno v: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da FEI
Centro Universitário da Fundação Educacional Inaciana (FEI)
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Para suprir a crescente demanda de velocidade, desempenho e baixo consumo, a indústria de circuitos integrados tem se desenvolvido de forma agressiva nos últimos anos, consolidando a tecnologia CMOS como fator essencial para o avanço tecnológico
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::6b1783ade24af332eaeba3b8310e08e6
https://doi.org/10.31414/ee.2019.d.130994
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Estudo do tipo octo em ambientes de radiações ionizantes de raios-x
Autor: D. S. Loesch
Publikováno v: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da FEI
Centro Universitário da Fundação Educacional Inaciana (FEI)
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https://doi.org/10.31414/ee.2019.d.130714
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Análise das propriedades básicas do sic VDMOSFET (WBG) para aplicações de tração automotiva
Autor: F. C. Feitosa
Publikováno v: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da FEI
Centro Universitário da Fundação Educacional Inaciana (FEI)
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A frota veicular no mundo está passando por uma grande transição em sua matriz energética, principalmente porque governos e entidades estão preocupados com os altos níveis de poluição. Esta pesquisa foca no uso de transistores de grande largu
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https://repositorio.fei.edu.br/handle/FEI/3087
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Distorção harmônica entre os MOSFETs implementados com os estilos de leiaute do tipo diamante híbrido e convencionais
Autor: M. M. Aoyama
Publikováno v: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da FEI
Centro Universitário da Fundação Educacional Inaciana (FEI)
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Na atualidade, há diferentes frentes de pesquisa (uso de novas estruturas de transistores, novos materiais, etc.) quer nas instituições de ensino, quer nos centros de pesquisa, visando a redução das dimensões do Transistor de Efeito de Campo Me
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https://repositorio.fei.edu.br/handle/FEI/3090
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Implementação do modelo contínuo estático e dinâmico de nanofios transistores MOS sem junções usando linguagem Verilog-A para projeto de circuitos CMOS
Autor: Moreira, C. V.
Publikováno v: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da FEI
Centro Universitário da Fundação Educacional Inaciana (FEI)
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Este trabalho tem como objetivo a implementação do modelo analítico estático e dinâmico do transistor MOS sem junções, proposto por Trevisoli et al. em linguagem VERILOG-A para utilização em simuladores do tipo SPICE. Esta linguagem foi sele
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https://doi.org/10.31414/ee.2018.d.130230
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Estudo dos MOSFETs com estilo de leiaute do tipo elipsoidal
Autor: Correia, M. M.
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Centro Universitário da Fundação Educacional Inaciana (FEI)
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O objetivo deste trabalho é realizar um estudo comparativo experimental e por simulação numérica tridimensional (3D) entre os transistores de efeito de campo do tipo Metal-Óxido-Semicondutor (Metal-Oxide-Semiconductor, MOS, Field Effect Transist
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::c58402ea3b44f9baf9acd1f95f57f39c
https://doi.org/10.31414/ee.2016.t.128821
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Estudo comparativo do comportamento elétrico entre os MOSFETS dos tipos wave e convencionais equivalentes operando em ambientes de radiações ionizantes
Autor: Rafael Navarenho de Souza
Publikováno v: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da FEI
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Neste trabalho realizou-se um estudo comparativo experimental entre um novo estilo de leiaute para ser empregado em Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs), denominado de Wave, cujo formato de porta é semelhante ao da letra “S
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::a03b644a9de0558b6905016028a2233c
https://doi.org/10.31414/ee.2016.t.128554
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