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pro vyhledávání: '"Transistor bipolaire à hétérojonctions SiGeC/Si"'
Autor:
Quiroga, Andrés
Le travail porte sur le développement et l’optimisation de transistors bipolaires à hétérojonction (TBH) SiGe et SiGeC par conception technologique assistée par ordinateur (TCAD). L'objectif est d'aboutir à un dispositif performant réalisabl
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2013PA112273/document
Autor:
Quiroga, Andrés
Publikováno v:
Other [cond-mat.other]. Université Paris Sud-Paris XI, 2013. English. ⟨NNT : 2013PA112273⟩
The present work investigates the technology development of state-of-the-art SiGe and SiGeC Heterojunction Bipolar Transistors (HBT) by means of technology computer aided design (TCAD). The objective of this work is to obtain an advanced HBT very clo
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2592::4a735696956d43ccacc0be675b947ba5
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00938619/file/VD2_QUIROGA_ANDRES_14112013.pdf
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00938619/file/VD2_QUIROGA_ANDRES_14112013.pdf