Výsledky vyhledávání - "Transistor MOSFET - Composant à effet de champ à grille isolée"

Dissertation/ Thesis

Intégration hybride de transistors à un électron sur un noeud technologique CMOS

Autor: Jouvet, Nicolas

Cette étude porte sur l’intégration hybride de transistors à un électron (single-electron transistor, SET) dans un noeud technologique CMOS. Les SETs présentent de forts potentiels, en particulier en termes d’économies d’énergies, mais n

Externí odkaz: http://www.theses.fr/2012ISAL0114/document

Zobrazit plný text záznamu

Hybrid integration of single electron transistor on a CMOS technology node

Autor: Jouvet , Nicolas

Publikováno v: Autre. INSA de Lyon, 2012. Français. 〈NNT : 2012ISAL0114〉
Autre. INSA de Lyon; Université de Sherbrooke (Québec, Canada), 2012. Français. ⟨NNT : 2012ISAL0114⟩

This study deals with the hybrid integration of Single Electron Transistors (SET) on a CMOS technology node. SET devices present high potentiels, particularly in terms of energy efficiency, but can't completely replace CMOS in electrical circuits. Ho

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::10c3a3bab0eda5bfc34dd540c750f261
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00863770/file/these.pdf

Zobrazit plný text záznamu

Dissertation/ Thesis

LaAlO3 amorphe déposé par épitaxie par jets moléculaires sur silicium comme alternative pour la grille high-κ des transistors CMOS

Autor: Pelloquin, Sylvain

Depuis l'invention du transistor MOS à effet de champ dans les années 60, l'exploitation de cette brique élémentaire a permis une évolution exponentielle du domaine de la microélectronique, avec une course effrénée vers la miniaturisation des

Externí odkaz: http://www.theses.fr/2011ISAL0051/document

Zobrazit plný text záznamu

Amorphous LaAlO3 deposited by molecular beam epitaxy on silicium as alternative high-κ gate in CMOS transistors

Autor: Pelloquin, Sylvain

Publikováno v: Autre. INSA de Lyon, 2011. Français. 〈NNT : 2011ISAL0051〉
Autre. INSA de Lyon, 2011. Français. ⟨NNT : 2011ISAL0051⟩

Since MOS Field Effect Transistor invention in the 60's, the exploitation of this elementary piece of technology allowed an exponential evolution in the microelectronic field, with a frantic race towards miniaturization of CMOS electronic devices. In

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::5996da93f47c004349afba8e8c21c8b8
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00694351/document

Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání