Intégration hybride de transistors à un électron sur un noeud technologique CMOS

Autor: Jouvet, Nicolas

Cette étude porte sur l’intégration hybride de transistors à un électron (single-electron transistor, SET) dans un noeud technologique CMOS. Les SETs présentent de forts potentiels, en particulier en termes d’économies d’énergies, mais n

Externí odkaz: http://www.theses.fr/2012ISAL0114/document

Réalisation de transistors à un électron par encapsulation d'îlots nanométriques de platine dans une matrice diélectrique en utilisant un procédé ALD

Autor: Thomas, Daniel

L'introduction du transistor à un électron (SET) a secoué l'industrie des semi-conducteurs, avec des promesses d'efficacité inégalée. Cependant, le coût et la complexité associés à la réalisation d'un fonctionnement stable ont fortement en

Externí odkaz: http://www.theses.fr/2017LYSEI131/document

Ingénierie de jonctions tunnel pour améliorer les performances du transistor mono-électronique métallique

Autor: El Hajjam, Khalil

Résumé: Aujourd’hui plusieurs obstacles technologiques et limitations physiques s’opposent à la poursuite de la miniaturisation de la technologie CMOS : courants de fuite, effet de canal court, effet de porteurs chauds et fiabilité des oxydes

Externí odkaz: http://hdl.handle.net/11143/8508

Tunnel barrier engineering to enhance the performances of the metallic single electron transistor

Autor: Hajjam, Khalil El

Publikováno v: Electronique. INSA de Lyon, 2015. Français. 〈NNT : 2015ISAL0111〉
Electronique. INSA de Lyon; Université de Sherbrooke (Québec, Canada), 2015. Français. ⟨NNT : 2015ISAL0111⟩

Today, several technological barriers and physical limitations arise against the miniaturization of the CMOS: leakage current, short channel effects, hot carrier effect and the reliability of the gate oxide. The single electron transistor (SET) is on

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::7638801e5e3b869ae97f38078194d43d
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01339967/file/these.pdf

Des contacts point aux NanoSystèmes Electro-Mécaniques – NEMS – Réalisation et caractérisation de structures monoatomiques réglables

Autor: Schecker, Olivier

L'étude de contacts atomiques ajustables est rendue possible par la réalisation de jonctions à cassure. Ce type de structure est constitué d'un conducteur métallique, tel que l'aluminium ou l'or, déposé sur un substrat, et dans lequel une cons

Externí odkaz: http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00440501
http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/44/05/01/PDF/These-Schecker2.pdf