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pro vyhledávání: '"Transistor à effet de champ - MOSFET"'
Autor:
Niu, Shiqin
La thèse intitulée "Conception, caractérisation et optimisation d’un transistor à effet de champ haute tension en Carbure de Silicium (SiC) et de leur diode associée", s’est déroulée au sein du laboratoire AMPERE sous la direction du Prof.
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2016LYSEI136/document
Autor:
Niu, Shiqin
Publikováno v:
Electronique. Université de Lyon, 2016. Français. 〈NNT : 2016LYSEI136〉
Electronique. Université de Lyon, 2016. Français. ⟨NNT : 2016LYSEI136⟩
Electronique. Université de Lyon, 2016. Français. ⟨NNT : 2016LYSEI136⟩
Silicon carbide (SiC) has higher critical electric field for breakdown and lower intrinsic carrier concentration than silicon, which are very attractive for high power and high temperature power electric applications. In this thesis, a new 3.3kV/20A
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::1ebdb0a0ccfb0c00485189212d764594
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01784870/file/these.pdf
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01784870/file/these.pdf
Autor:
Gerrer, Louis
La progressivité du claquage des oxydes de grille d'épaisseurs inférieures à 20 nm permet d'envisager une prolongation de la durée de vie des circuits. Cet enjeu majeur de la fiabilité contemporaine requiert des modèles adaptés afin de contr
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2011GRENT045/document
Autor:
Gerrer, Louis
Publikováno v:
Autre. Université de Grenoble, 2011. Français. ⟨NNT : 2011GRENT045⟩
Breakdown (BD) progressivity for oxides thicker than 20nm may allow circuit lifetime extension; for design purpose and reliability questions, it is now very important to include soft BD failure in compact models in order to predict circuit's paramete
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::1c0beeb7c9c2abfdafbbb1f411492d02
https://theses.hal.science/tel-00631364
https://theses.hal.science/tel-00631364
Autor:
Ritzenthaler, Romain
Publikováno v:
Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Institut National Polytechnique Grenoble (INPG), 2006. Français
Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Institut National Polytechnique Grenoble (INPG), 2006. Français. ⟨NNT : ⟩
Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Institut National Polytechnique Grenoble (INPG), 2006. Français. ⟨NNT : ⟩
The dimensions downscaling for the next nodes of the microelectronics industry is handicapped by technological problems more and more difficult to overcome. Multigate MOS architectures have been proposed to continue further the downscaling. Among the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::0c465cf3ec5f22af42002fd2cae5437b
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01353709/document
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01353709/document