Zobrazeno 1 - 10
of 7 235
pro vyhledávání: '"Transfer learning technique"'
Autor:
abdulmajed, Maha Safar1 (AUTHOR) eng.yassin.ahmed@imamaladham.edu.iq, Alsumaidaee, Yaseen Ahmed Mohammed2 (AUTHOR)
Publikováno v:
Ingénierie des Systèmes d'Information. Dec2024, Vol. 29 Issue 6, p2335-2343. 9p.
Autor:
Basak, Dipankar, Dey, Kalyan
In this study, we explore the applicability of Transfer Learning techniques for estimating collision centrality in terms of the number of participants ($N_{\rm part}$) in high-energy heavy-ion collisions. In the present work, we leverage popular pre-
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2407.07210
Autor:
Zia-ur-Rehman1 (AUTHOR), Awang, Mohd Khalid1 (AUTHOR), Rashid, Javed2,3,4 (AUTHOR) RanaJavedRashid@gmail.com, Ali, Ghulam5 (AUTHOR), Hamid, Muhammad6 (AUTHOR) mhamid@gcwus.edu.pk, Mahmoud, Samy F.7 (AUTHOR), Saleh, Dalia I.8 (AUTHOR), Ahmad, Hafiz Ishfaq9 (AUTHOR)
Publikováno v:
PLoS ONE. 9/6/2024, Vol. 19 Issue 9, p1-23. 23p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Alavanthar, Theenathayaalan1 (AUTHOR), Madheswaran, Muthusamy2 (AUTHOR) principal@mec.edu.in
Publikováno v:
Traitement du Signal. Jun2024, Vol. 41 Issue 3, p1215-1222. 8p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 12, Pp 157988-157995 (2024)
In this paper, a transfer learning technique was first utilized to obtain deep neural network models for different gate lengths in the avalanche breakdown regime. Once the characteristics of a gate-length metal-oxide-semiconductor field-effect transi
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/7aa4a80e4be649d8847d1d5a6d03eb4f
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.