Výsledky vyhledávání - "Tranchées profondes"

Optimisation de la diode à Superjonction à tranchées profondes pour des applications à 600V

Autor: Noblecourt, Sylvain, Tasselli, Josiane, Morancho, Frédéric, Isoird, Karine, Austin, Patrick, Dubreuil, Pascal, Lecestre, Aurélie

Publikováno v: Symposium de Génie Electrique 2014
Symposium de Génie Electrique 2014, Jul 2014, Cachan, France
European Journal of Electrical Engineering
European Journal of Electrical Engineering, 2014, 17 (5-6), pp.345-361. ⟨10.3166/ejee.17.345-361⟩

International audience; The purpose of this paper is to present the Deep Trench SuperJunction Diode (DT-SJDiode) optimization and realization with a 600V breakdown voltage. We present technological and geometrical parameters influences on the breakdo

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::f2e79d4ded106246446edcd55f54926f
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01102974

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Optimisation de la diode à Superjonction à tranchées profondes pour des applications à 600V

Autor: Patrick Austin, Sylvain Noblecourt, Karine Isoird, Josiane Tasselli, Aurélie Lecestre, Pascal Dubreuil, Frédéric Morancho

Publikováno v: European Journal of Electrical Engineering
European Journal of Electrical Engineering, Lavoisier, 2014, 17 (5-6), pp.345-361. ⟨10.3166/ejee.17.345-361⟩
European Journal of Electrical Engineering, Lavoisier, 2015, ⟨10.3166/EJEE.17.345-361⟩
European Journal of Electrical Engineering, 2015, ⟨10.3166/EJEE.17.345-361⟩

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::7d0e9b26aae66e283033a73dffb0b1bc
https://hal.laas.fr/hal-01955633

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Dissertation/ Thesis

Développement et caractérisation de nouveaux procédés de passivation pour les capteurs d'images CMOS

Autor: Ait Fqir Ali, Fatima Zahra

La conception des futures générations de capteurs d'images CMOS, nécessite l'intégration de structures 3D telles que les tranchées profondes d'isolation, ou encore l'adoption de nouvelles architectures telles que les capteurs d'images à illumin

Externí odkaz: http://www.theses.fr/2013LYO10186

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Conception de transistors MOS haute tension (1 200 volts) pour l'électronique de puissance

Autor: Loïc Théolier, Hicham Mafoz Kobt, Karine Izoird, Frédéric Morancho

Publikováno v: European Journal of Electrical Engineering
European Journal of Electrical Engineering, 2010, 13 (2), pp.227-252. ⟨10.3166/ejee.13.227-252⟩
European Journal of Electrical Engineering, Lavoisier, 2010, 13 (2), pp.227-252. ⟨10.3166/ejee.13.227-252⟩

Les composants actifs des convertisseurs de puissance empoyes pour la traction ferroviaire 1200 volts sont actuellement des IGBTs. Ceux-ci sont handicapes par leurs pertes en commutation et leur emballement thermique. L'utilisation de transistors MOS

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::b4c6952b07aa05c2de6e217c6ad5600e
https://hal.science/hal-00991584/document

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Dissertation/ Thesis

Conception de transistor MOS haute tension (1200 volts) pour l'électronique de puissance

Autor: Theolier, Loïc

Les composants actifs des convertisseurs de puissance empoyés pour la traction ferroviaire 1200 volts sont actuellement des IGBTs. Ceux-ci sont handicapés par leurs pertes en commutation et leur emballement thermique. L'utilisation de transistors M

Externí odkaz: http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00377784
http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/37/77/84/PDF/These-Loic-Theolier.pdf

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