Zobrazeno 1 - 10
of 103
pro vyhledávání: '"Trajkovic, T."'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Gammon P.M., Chan C.W., Gity F., Trajkovic T., Kilchytska V., Fan L., Pathirana V., Camuso G., Ben Ali K., Flandre D., Mawby P.A., Gardner J.W.
Publikováno v:
E3S Web of Conferences, Vol 16, p 12003 (2017)
A new generation of power electronic semiconductor devices are being developed for the benefit of space and terrestrial harsh-environment applications. 200-600 V lateral transistors and diodes are being fabricated in a thin layer of silicon (Si) wafe
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/0dd4f01de6134216a5eee2a56425504d
Autor:
Rajaguru, P., Bailey, Christopher, Aliyu, Attahir Murtala, Castellazzi, Alberto, Pathirana, V., Udugampola, N., Trajkovic, T., Udrea, F., Mitchelson, P.D., Elliot, A.D.T.
Publikováno v:
IndraStra Global.
This paper details a co-design and modelling methodology to optimise the flip-chip assembly parameters so that the overall package and system meets performance and reliability specifications for LED lighting applications. A co-design methodology is e
Autor:
Torchia, P., Pampili, P., O'Connell, J., O'Brien, J., White, M., Schmidt, M., Sheehan, B., Waldron, F., Holmes, J.D., Monaghan, S., Duffy, R., Trajkovic, T., Kilchytska, Valeriya, Gammon, P., Cherkaoui, K., Hurley, P.K., Gity, F., 2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS 2017)
In this study, a surface activated bonding method using remote plasma is applied to realize the direct wafer bonding of Si and SiC. A comparison of different surface treatments is reported. Hydrophilic and hydrophobic wafers have been exposed to in-s
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1493::1578e8159f947798c66a6c264db57882
https://hdl.handle.net/2078.1/191138
https://hdl.handle.net/2078.1/191138
Autor:
Torchia, Pasqualino, Pampili, Pietro, O'Connell, John, O'Brien, Joe, White, Mary, Schmidt, Michael, Sheehan, Brendan, Waldron, Finbarr, Holmes, Justin D., Monaghan, Scott, Duffy, Ray, Trajkovic, T., Kilchytska, V., Gammon, P. M., Cherkaoui, Karim, Hurley, Paul K., Gity, Farzan
In this study, a surface activated bonding method using remote plasma is applied to realize the direct wafer bonding of Si and SiC. A comparison of different surface treatments is reported. Hydrophilic and hydrophobic wafers have been exposed to in-s
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1535::6fa9938725c6fb46d5556177e342e6f2
https://hdl.handle.net/10468/7113
https://hdl.handle.net/10468/7113
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Ostojic, S.M., Jerkan, M., Zdravkovic, S., Milojevic, J., Petrovski, V., Zivkovic, N., Djelic, B., Stojiljkovic, S., Stamenkovic, G., Taskovic, V., Trajkovic, T., Stojkovic, S., Bonic, J., Rancic, S., Jovanovic, C., Ivanovic, S., Grujic, G.
Publikováno v:
In Clinical Nutrition ESPEN December 2020 40:576-576
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.