Zobrazeno 1 - 10
of 32
pro vyhledávání: '"Towie, E."'
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability August-September 2015 55(9-10):1307-1312
In this paper we perform trap sensitivity simulation analysis of square nanowire transistors (NWTs), comparing\ud Poisson–Schrödinger (PS) and classical solutions. Both approaches result in very different electrostatic behaviour\ud due to strong q
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=core_ac_uk__::2a0452d9cf17c8916e7f7d52b31abde5
https://eprints.gla.ac.uk/110223/1/110223.pdf
https://eprints.gla.ac.uk/110223/1/110223.pdf
Publikováno v:
In Silicon-on-insulator (SOI) Technology 2014:195-211
Publikováno v:
Intel European Research and Innovation Conference
In this paper we use numerical simulations to evaluate the performance of III-V Implant-Free Quantum-Well\ud (IFQW) MOSFET devices that offer simultaneously high channel mobility, high drive current and excellent\ud electrostatic integrity. Using 3D
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=core_ac_uk__::ffa92080169b6c51975b1b95d4814e2e
https://eprints.gla.ac.uk/78455/1/78455.pdf
https://eprints.gla.ac.uk/78455/1/78455.pdf
Autor:
Sampedro, C., Donetti, L., Gamiz, F., Godoy, A., Garcia-Ruiz, F. J., Georgiev, V. P., Amoroso, S. M., Riddet, C., Towie, E. A., Asenov, A.
Publikováno v:
2014 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes & Devices (SISPAD); 2014, p21-24, 4p
Autor:
Kononchuk, O., Nguyen, B.-Y., Moriceau, H., Fournel, F., Rieutord, F., Cristoloveanu, S., Ghosh, S., Burnett, D., Andrieu, F., Colinge, J.P., Cheng, B., Brown, A., Towie, E., Daval, N., Bourdelle, K.K., Asenov, A., Markov, S., Zain, A.S.M., Khazhinsky, M.G., Raskin, J.-P., Emam, M., Sugii, N., Tan, C.S., Bogaerts, W., Selvaraja, S.K., Mori, K.
Publikováno v:
In Silicon-on-insulator (SOI) Technology 2014:xi-xiii
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Sampedro, C., Donetti, L., Francisco Gamiz, Godoy, A., Garcia-Ruiz, F. J., Georgiev, V. P., Amoroso, S. M., Riddet, C., Towie, E. A., Asenov, A., IEEE
Publikováno v:
ResearcherID
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::7ad0c74e285d69e226681ca997686b31
http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=ORCID&SrcApp=OrcidOrg&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=WOS:000364919800006&KeyUID=WOS:000364919800006
http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=ORCID&SrcApp=OrcidOrg&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=WOS:000364919800006&KeyUID=WOS:000364919800006
Publikováno v:
Intel European Research and Innovation Conference
Introduction of high mobility channel materials including III-Vs and Ge into future CMOS generations offer the\ud potential for enhanced transport properties compared to Si. The Implant Free Quantum Well (IFQW) architecture\ud offers an attractive de
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=core_ac_uk__::6b76cd6b75649fe1b97c6262435d3fef
https://eprints.gla.ac.uk/78454/1/78454.pdf
https://eprints.gla.ac.uk/78454/1/78454.pdf