Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"Top-gated transistor"'
Autor:
Robert M. Wallace, Chadwin D. Young, Pavel Bolshakov, Angelica Azcatl, Peng Zhao, Paul K. Hurley
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 178:190-193
High quality HfO2 and Al2O3 substrates are fabricated in order to study their impact on top-gate MoS2 transistors. Compared with top-gate MoS2 FETs on a SiO2 substrate, the field effect mobility decreased for devices on HfO2 substrates but substantia
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::a0578dab9c9d142c4e364e08d32a0429
https://doi.org/10.1016/j.mee.2017.04.045
https://doi.org/10.1016/j.mee.2017.04.045
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.