Zobrazeno 1 - 10
of 58
pro vyhledávání: '"Tolmachev, D. O."'
Autor:
Kotur, M., Tolmachev, D. O., Litvyak, V. M., Kavokin, K. V., Suter, D., Yakovlev, D. R., Bayer, M.
The selective cooling of $^{75}$As spins by optical pumping followed by adiabatic demagnetization in the rotating frame is realized in a nominally undoped GaAs/(Al,Ga)As quantum well. The rotation of 6 kG strong Overhauser field at the $^{75}$As Larm
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2102.04153
Autor:
Shornikova, E. V., Yakovlev, D. R., Tolmachev, D. O., Ivanov, V. Yu., Kalitukha, I. V., Sapega, V. F., Kudlacik, D., Kusrayev, Yu. G., Golovatenko, A. A., Shendre, S., Delikanli, S., Demir, H. V., Bayer, M.
Excitons in diluted magnetic semiconductors represent excellent probes for studying the magnetic properties of these materials. Various magneto-optical effects, which depend sensitively on the exchange interaction of the excitons with the localized s
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2005.06548
Autor:
Mocek, R. W., Korenev, V. L., Bayer, M., Kotur, M., Dzhioev, R. I., Tolmachev, D. O., Cascio, G., Kavokin, K. V., Suter, D.
Publikováno v:
Phys. Rev. B 96, 201303 (2017)
The dynamic polarization of nuclear spins by photoexcited electrons is studied in a high quality GaAs/AlGaAs quantum well. We find a surprisingly high efficiency of the spin transfer from the electrons to the nuclei as reflected by a maximum nuclear
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1708.00053
Autor:
Simin, D., Soltamov, V. A., Poshakinskiy, A. V., Anisimov, A. N., Babunts, R. A., Tolmachev, D. O., Mokhov, E. N., Trupke, M., Tarasenko, S. A., Sperlich, A., Baranov, P. G., Dyakonov, V., Astakhov, G. V.
Publikováno v:
Phys. Rev. X 6, 031014 (2016)
We uncover the fine structure of a silicon vacancy in isotopically purified silicon carbide (4H-$^{28}$SiC) and find extra terms in the spin Hamiltonian, originated from the trigonal pyramidal symmetry of this spin-3/2 color center. These terms give
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1511.04663
Autor:
Soltamov, V. A., Yavkin, B. V., Tolmachev, D. O., Babunts, R. A., Badalyan, A. G., Davydov, V. Yu., Mokhov, E. N., Proskuryakov, I. I., Orlinskii, S. B., Baranov, P. G.
We discovered uniaxial oriented centers in silicon carbide having unusual performance. Here we demonstrate that the family of silicon-vacancy related centers with $S= 3/2$ in rhombic 15R-SiC crystalline matrix possess unique characteristics such as O
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1506.05625
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.