Zobrazeno 1 - 10
of 50
pro vyhledávání: '"Tokunaga, Kazuaki"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Yasuda, Yoko1,2 (AUTHOR), Tokunaga, Kazuaki1 (AUTHOR), Koga, Tomoaki1 (AUTHOR), Sakamoto, Chiyomi1 (AUTHOR), Goldberg, Ilya G.3 (AUTHOR), Saitoh, Noriko4 (AUTHOR) noriko.saito@jfcr.or.jp, Nakao, Mitsuyoshi1 (AUTHOR) mnakao@gpo.kumamoto-u.ac.jp
Publikováno v:
Cancer Medicine. 3/15/2020, Vol. 9 Issue 6, p2223-2234. 12p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Sato, Takanori, Takakura, Aya, Lee, Ji-Won, Tokunaga, Kazuaki, Matsumori, Haruka, Takao-Kawabata, Ryoko, Iimura, Tadahiro
Publikováno v:
Microscopy; Dec2021, Vol. 70 Issue 6, p498-509, 12p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Tokunaga, Kazuaki1,2, Saitoh, Noriko1,2 norikos@kumamoto-u.ac.jp, Goldberg, Ilya G.3, Sakamoto, Chiyomi1, Yasuda, Yoko1, Yoshida, Yoshinori4, Yamanaka, Shinya4,5, Nakao, Mitsuyoshi1,2 mnakao@gpo.kumamoto-u.ac.jp
Publikováno v:
Scientific Reports. 11/14/2014, p1-7. 7p.
Autor:
Tokunaga Kazuaki, Maki Kubo, Yoshinori Yoshida, Akio Shima, Takashi Hashimoto, Katsuya Oda, Hidenori Satoh, Keiko Fukumoto
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society. 2:50-58
A self-aligned SiGe HBT technology achieving a cutoff frequency $({f}_{\rm T})$ of 253 GHz was developed using a selective SiGe epitaxial growth process. Germanium concentration in an i-SiGe layer just under a ${\rm p}^{+}$ intrinsic base region was
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f1084e1f6141802b0508e1569b61dd3a
https://doi.org/10.1109/jeds.2014.2315854
https://doi.org/10.1109/jeds.2014.2315854