Zobrazeno 1 - 6
of 6
pro vyhledávání: '"Togambaeva, A.K."'
Autor:
Komarov, F.F., Vlasukova, L.A., Parkhomenko, I.N., Milchanin, O.V., Togambaeva, A.K, Udovichenko, S.Yu., Misiyuk, K.V.
The Si-rich SiNx films were deposited on Si wafers by low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) technique followed by annealing at (800 – 1200) °C. Excess (overstoichiometric) Si content in nitride films was calculated from Rutherford backsca
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2001::9f7ace14137eca76756aaff413c71a91
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/37196
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/37196
Autor:
Komarov, F.F., Ksenofontou, M.A., Abdullin, H.A., Krivosheev, R.M., Tkachev, A.G., Ostrovskaya, L.E., Rodionova, V.N., Togambaeva, A.K.
Publikováno v:
2013 International Kharkov Symposium on Physics & Engineering of Microwaves, Millimeter & Submillimeter Waves; 2013, p100-102, 3p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.