Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"Tjeertes, D."'
Autor:
Tjeertes, D., Vela, A., Verstijnen, T. J. F., Banfi, E. G., van Veldhoven, P. J., Menzes, M. G., Capaz, R. B., Koiller, B., Koenraad, P. M.
Publikováno v:
Phys. Rev. B 104, 125433 (2021)
Silicon (Si) donors in GaAs have been the topic of extensive studies since Si is the most common and well understood n-type dopant in III-V semiconductor devices and substrates. The indirect bandgap of AlAs compared to the direct one of GaAs leads to
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2106.05695
Autor:
Tjeertes, D., Verstijnen, T. J. F., Gonzalo, A., Ulloa, J. M., Sharma, M. S., Felici, M., Polimeni, A., Biccari, F., Gurioli, M., Pettinari, G., Şahin, C., Flatté, M. E., Koenraad, P. M.
Publikováno v:
Phys. Rev. B 102, 125304 (2020)
Hydrogenation of nitrogen (N) doped GaAs allows for reversible tuning of the bandgap and the creation of site controlled quantum dots through the manipulation of N-nH complexes, N-nH complexes, wherein a nitrogen atom is surrounded by n hydrogen (H)
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2007.11879
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.