Zobrazeno 1 - 10 of 94 pro vyhledávání: '"Tin, C. C."'
1
Akademický článek
Effects of postgrowth annealing treatment on the photoluminescence of zinc oxide nanorods.
Autor: Wang, D., Seo, H. W., Tin, C.-C., Bozack, M. J., Williams, J. R., Park, M., Sathitsuksanoh, N., Cheng, An-jen, Tzeng, Y. H.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 6/1/2006, Vol. 99 Issue 11, p113509, 5p, 1 Black and White Photograph, 4 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Lasing in whispering gallery mode in ZnO nanonails.
Autor: Wang, D., Seo, H. W., Tin, C.-C., Bozack, M. J., Williams, J. R., Park, M., Tzeng, Y.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 5/1/2006, Vol. 99 Issue 9, p093112, 4p, 1 Black and White Photograph, 1 Diagram, 2 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Characterization and modeling of the nitrogen passivation of interface traps in SiO[sub 2]/4H–SiC.
Autor: McDonald, K., Weller, R. A., Pantelides, S. T., Feldman, L. C., Chung, G. Y., Tin, C. C., Williams, J. R.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 3/1/2003, Vol. 93 Issue 5, p2719, 4p, 1 Chart, 3 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Kinetics of NO nitridation in SiO[sub 2]/4H–SiC.
Autor: McDonald, K., Feldman, L. C., Weller, R. A., Chung, G. Y., Tin, C. C., Williams, J. R.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2/15/2003, Vol. 93 Issue 4, p2257, 5p, 5 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Near-surface defects associated with 2.0-MeV 16O+ ion implantation in n-GaAs.
Autor: Tin, C. C., Barnes, P. A., Bardin, T. T., Pronko, J. G.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 7/15/1991, Vol. 70 Issue 2, p739, 5p, 1 Chart, 4 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Capacitance-voltage studies of InP metal-oxide-semiconductor devices irradiated with 4He+ ions.
Autor: Tin, C. C., Barnes, P. A., Williams, J. R., Patuwathavithane, C. S., Van Staagen, P. K.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 11/1/1989, Vol. 66 Issue 9, p4201, 5p
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Defect studies of electrothermal stress of InP metal-oxide-semiconductor structures.
Autor: Tin, C. C., Barnes, P. A.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 7/1/1989, Vol. 66 Issue 1, p223, 7p
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
States of copper during diffusion in semi-insulating GaAs.
Autor: Tin, C. C., Teh, C. K., Weichman, F. L.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 1/15/1988, Vol. 63 Issue 2, p355, 5p
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje