Zobrazeno 1 - 10
of 3 163
pro vyhledávání: '"Time domain thermoreflectance"'
Time-domain thermoreflectance (TDTR) is a widely used technique for characterizing the thermal properties of bulk and thin-film materials. Traditional TDTR analyses typically focus on positive delay time data for fitting, often requiring multiple-fre
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2411.15767
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Harton, Renee M., Ceballos, Alejandro, Unikandanunni, Vivek, Gray, Alexander, Bonetti, Stefano, Krüger, Peter, Hellman, Frances
Time-Domain Thermoreflectance (TDTR) characterization of FeRh throughout its first-order antiferromagnetic (AF) to ferromagnetic (FM) transition shows that the transient reflectance, $\Delta$R(t)/R, strongly depends on the magnetic order of the sampl
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2212.02593
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Du, Yanzheng1 (AUTHOR), Bo, Zhenxing2 (AUTHOR), Ma, Weigang1 (AUTHOR) maweigang@tsinghua.edu.cn, Wang, Weihua2 (AUTHOR), Zhang, Xing1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 11/14/2023, Vol. 134 Issue 18, p1-13. 13p.
Autor:
Peng, Wanyue, Wilson, Richard
Time-domain thermoreflectance (TDTR) is a well-established pump/probe method for measuring thermal conductivity and interface conductance of multilayers. Interpreting signals in a TDTR experiment requires a thermal model.In standard front/front TDTR
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2112.08734
Publikováno v:
Journal of the American Ceramic Society, 2021: 00,1-9
Silicon carbide silicon carbide (SiC SiC) composites are often used in oxidizing environments at high temperatures. Measurements of the thermal conductance of the oxide layer provide a way to better understand the oxidation process with high spatial
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2102.01233
Autor:
Cheng, Zhe, Mu, Fengwen, Ji, Xiaoyang, You, Tiangui, Xu, Wenhui, Suga, Tadatomo, Ou, Xin, Cahill, David G., Graham, Samuel
Thermal resistances from interfaces impede heat dissipation in micro/nanoscale electronics, especially for high-power electronics. Despite the growing importance of understanding interfacial thermal transport, advanced thermal characterization techni
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2103.08084
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.