Zobrazeno 1 - 10
of 39
pro vyhledávání: '"Tian, Fengbin"'
Autor:
Hu, Tao, Shao, Xianzhou, Bai, Mingkai, Jia, Xinpei, Dai, Saifei, Sun, Xiaoqing, Han, Runhao, Yang, Jia, Ke, Xiaoyu, Tian, Fengbin, Yang, Shuai, Chai, Junshuai, Xu, Hao, Wang, Xiaolei, Wang, Wenwu, Ye, Tianchun
We study the impact of top SiO2 interlayer thickness on the memory window (MW) of Si channel ferroelectric field-effect transistor (FeFET) with TiN/SiO2/Hf0.5Zr0.5O2/SiOx/Si (MIFIS) gate structure. We find that the MW increases with the increasing th
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2406.15478
Autor:
Hu, Tao, Shao, Xianzhou, Bai, Mingkai, Jia, Xinpei, Dai, Saifei, Sun, Xiaoqing, Han, Runhao, Yang, Jia, Ke, Xiaoyu, Tian, Fengbin, Yang, Shuai, Chai, Junshuai, Xu, Hao, Wang, Xiaolei, Wang, Wenwu, Ye, Tianchun
We study the impact of top SiO2 interlayer thickness on memory window of Si channel FeFET with TiN/SiO2/Hf0.5Zr0.5O2/SiOx/Si (MIFIS) gate structure. The memory window increases with thicker top SiO2. We realize the memory window of 6.3 V for 3.4 nm t
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2404.15825
Autor:
Chai, Junshuai, Xu, Hao, Xiang, Jinjuan, Zhang, Yuanyuan, Zhao, Shujing, Tian, Fengbin, Duan, Jiahui, Han, Kai, Wang, Xiaolei, Luo, Jun, Wang, Wenwu, Ye, Tianchun
The gate defect of the ferroelectric HfO$_2$-based Si field-effect transistor (Si FeFET) plays a dominant role in its reliability issue. The first-principles calculations are an effective method for the atomic-scale understanding of gate defects. How
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2204.13864
Autor:
Tian, Fengbin, Zhao, Shujing, Xu, Hao, Xiang, Jinjuan, Li, Tingting, Xiong, Wenjuan, Duan, Jiahui, Chai, Junshuai, Han, Kai, Wang, Xiaolei, Wang, Wenwu, Ye, Tianchun
We study the impact of different interlayers and ferroelectric materials on charge trapping during the endurance fatigue of Si FeFET with TiN/HfxZr1-xO2/interlayer/Si (MFIS) gate stack. We have fabricated FeFET devices with different interlayers (SiO
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2107.03854
Autor:
Zhao, Shujing, Tian, Fengbin, Xu, Hao, Xiang, Jinjuan, Li, Tingting, Chai, Junshuai, Duan, Jiahui, Han, Kai, Wang, Xiaolei, Wang, Wenwu, Ye, Tianchun
We investigate the charge trapping during endurance fatigue of FeFET with TiN/Hf0.5Zr0.5O2/SiO2/Si (MFIS) gate structure. We propose a method of experimentally extracting the number of trapped charges during the memory operation, by measuring the cha
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2106.15939
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Chai, Junshuai, Xu, Hao, Xiang, Jinjuan, Zhang, Yuanyuan, Zhou, Lixing, Zhao, Shujing, Tian, Fengbin, Duan, Jiahui, Han, Kai, Wang, Xiaolei, Luo, Jun, Wang, Wenwu, Ye, Tianchun, Guo, Yuzheng
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 9/14/2022, Vol. 132 Issue 10, p1-8, 8p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.