Zobrazeno 1 - 10
of 23
pro vyhledávání: '"Thu Nhi Tran Thi"'
Autor:
Lutz Kirste, Thu Nhi Tran Thi Caliste, Jan L. Weyher, Julita Smalc-Koziorowska, Magdalena A. Zajac, Robert Kucharski, Tomasz Sochacki, Karolina Grabianska, Malgorzata Iwinska, Carsten Detlefs, Andreas N. Danilewsky, Michal Bockowski, José Baruchel
Publikováno v:
Materials, Vol 15, Iss 19, p 6996 (2022)
In this paper, we investigate, using X-ray Bragg diffraction imaging and defect selective etching, a new type of extended defect that occurs in ammonothermally grown gallium nitride (GaN) single crystals. This hexagonal “honeycomb” shaped defect
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c4eb818e34b0454bb1285c95955c0cb4
Autor:
Enrico Bagli, Andrea Balbo, Laura Bandiera, Stefano Baricordi, Riccardo Camattari, Sara Carturan, Davide Casotti, Giuseppe Cruciani, Davide De Salvador, Andrea Mazzolari, Marco Romagnoni, Melissa Tamisari, Thu Nhi Tran Thi, Jaap van den Berg
Publikováno v:
Proceedings, Vol 26, Iss 1, p 37 (2019)
Since the ’70, physics of interaction between bent crystals and heavy particles (protons or ions) [...]
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/9f73f66553cd4374b846512da7cc1f95
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2022 33rd Annual SEMI Advanced Semiconductor Manufacturing Conference (ASMC).
Autor:
P. Ballet, Dominique Giotta, Rémy Obrecht, Thu Nhi Tran Thi, Can Yildirim, José Baruchel, Jean Louis Santailler, Delphine Brellier
Publikováno v:
Journal of Synchrotron Radiation. 28:301-308
High-quality Hg1–xCdxTe (MCT) single crystals are essential for two-dimensional infrared detector arrays. Crystal quality plays an important role on the performance of these devices. Here, the dislocations present at the interface of CdZnTe (CZT) s
Autor:
Georges Bremond, Delphine Le Cunff, I. Mica, Maxime Cannac, Romain Duru, José Baruchel, Thu-Nhi Tran-Thi
Publikováno v:
IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing. 32:23-30
In this paper, the innovative photoluminescence imaging technique is described for applications to buried defect detection in silicon devices. The validity of this emerging technique is first assessed in comparison with well-established characterizat
Autor:
Wuyi Wang, P.L. Diggle, U.F.S. D'Haenens-Johansson, Thu Nhi Tran Thi, Mark E. Newton, Ben Green, C. M. Welbourn, A.N. Katrusha
Publikováno v:
Physical Review Materials. 4
Large $(g100\phantom{\rule{0.16em}{0ex}}\mathrm{m}{\mathrm{m}}^{3})$, relatively pure (type II) and low birefringence single crystal diamond can be produced by high pressure high temperature (HPHT) synthesis. In this study we examine a HPHT sample of
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
J.M. Brom, Ovidiu Brinza, A.N. Katrusha, Jocelyn Achard, Y. Loguinov, V. Mille, A. Koliadin, Alexandre Tallaire, Thu Nhi Tran Thi
Publikováno v:
Diamond and Related Materials. 77:146-152
The suitability of type IIa diamonds prepared by High Pressure High Temperature (HPHT) in cubic presses at New Diamond Technology was assessed as substrates for the growth of thick detector-grade quality Chemically Vapour Deposited (CVD) diamond film