Zobrazeno 1 - 3
of 3
pro vyhledávání: '"Thriveni Gokuraju"'
Publikováno v:
Electrical Engineering; Aug2024, Vol. 106 Issue 4, p3705-3720, 16p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kaustab Ghosh, Thriveni Gokuraju
Publikováno v:
iSES
In this paper, a semi-quantum analytical model is developed for current transport simulation in a dielectrically modulated double gate (DG) MOSFET for biosensing applications. The model incorporates a self-consistent solution of two-dimensional Poiss
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::95caf0aeaa03bb75c90e0b5c5a4768a4
https://doi.org/10.1109/ises50453.2020.00022
https://doi.org/10.1109/ises50453.2020.00022