Zobrazeno 1 - 10
of 345
pro vyhledávání: '"Three dimensional integration"'
Publikováno v:
Nano-Micro Letters, Vol 14, Iss 1, Pp 1-29 (2022)
Abstract Vertical three-dimensional (3D) integration is a highly attractive strategy to integrate a large number of transistor devices per unit area. This approach has emerged to accommodate the higher demand of data processing capability and to circ
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/2c66d2105cda4f658ecd21bdf64b98b4
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Dianzi Jishu Yingyong, Vol 45, Iss 3, Pp 22-27 (2019)
In order to realize the modeling and numerical simulation of the electromagnetic field distribution and wave propagation in interconnects of interposers for three-dimensional integration, the Finite Difference Time Domain(FDTD) method is used in this
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/96b3cabfafab48e1968f9f8cb60ab4f0
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Chuan-An Cheng, Yu-Hsiang Huang, Chien-Hung Lin, Chia-Lin Lee, Shan-Chun Yang, Kuan-Neng Chen
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 5, Iss 2, Pp 136-140 (2017)
A reliable temporary bonding scheme with both inorganic amorphous silicon release layer and HD-3007 polyimide based on high 355-nm-wavelength laser absorption coefficient in release layer is proposed and investigated. Effects of laser absorption coef
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d38f78abb425406c92df1743e421e7f2