Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"Thomas H. DiStefano"'
Publikováno v:
Microelectronics International. 17:23-27
The concept of packaging integrated circuits while they are still in wafer form has captured the imagination of semiconductor manufacturers and packagers around the globe. One such concept, referred to as wide area vertical expansion (WAVETM) technol
Autor:
Ingemar Lundström, Thomas H. DiStefano
Publikováno v:
Surface Science. 59:23-32
Internal photoemission experiments were performed to study the polarization layer induced by hydrogen at PdSiO2 interfaces. It was found that this polarization layer behaves like a true dipole layer where one monolayer of hydrogen atoms at the int
Autor:
Thomas H. DiStefano, King-Ning Tu
Photoemission and thermionic emission results show that the Si-SiO2 energy barrier can be reduced from 4.2 eV to about 2.5 eV by a monolayer coverage of sodium. Scanning Internal Photoemission maps were made of the SiO2 interface which was 'stained'
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4e0547386d0240468db8eee745f4cc6a
https://doi.org/10.21236/ad0781820
https://doi.org/10.21236/ad0781820
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.