Zobrazeno 1 - 10
of 42
pro vyhledávání: '"Thi, Tran Anh Tuan"'
Publikováno v:
Royal Society Open Science, Vol 11, Iss 1 (2024)
Today, nanoscrystals are researched and developed very quickly because of their advantages in many areas of life. One of the potential applications is quantum dot-sensitized solar cells. This is a green, clean, environmentally friendly cell, and has
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b558a391b0664ed58dbe13364f6851cb
Publikováno v:
KnE Engineering; 3/7/2024, p10-21, 12p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Thi Tran Anh Tuan, Dong-Hau Kuo, Cao Phuong Thao, Tran Nguyen Phuong Lan, Nguyen Van Sau, Truong Thi Ngoc Chinh, Co Thi Thuy
Publikováno v:
Journal of Electronic Materials. 51:1288-1296
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c0d00a6e6348558150182fe612bf9495
https://doi.org/10.1007/s11664-021-09399-1
https://doi.org/10.1007/s11664-021-09399-1
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Coatings
Volume 10
Issue 3
Coatings, Vol 10, Iss 3, p 210 (2020)
Volume 10
Issue 3
Coatings, Vol 10, Iss 3, p 210 (2020)
Sb anion-substituted gallium nitride films were fabricated by radio frequency reactive sputtering with single Sb-containing cermet targets with different Sb contents under Ar/N2 atmosphere. n-type GaN films with electron concentration of (1.40 &plusm
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::59365d472e07647a82b23a6be5c7137b
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Materials Science and Engineering: B. 222:18-25
Zn-doped GaN films have been deposited on Si (1 0 0), SiO 2 /Si (1 0 0), and glass substrates by RF reactive sputtering at 100–400 °C with single cermet targets. The Zn-GaN films deposited with a 10% Zn cermet target showed the good electrical pro
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b83bb136e61a41d7e4f2d710e5e96614
https://doi.org/10.1016/j.mseb.2017.04.008
https://doi.org/10.1016/j.mseb.2017.04.008