Zobrazeno 1 - 10
of 243
pro vyhledávání: '"Thermionic field emission"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Masataka Okawa, Ruito Aiba, Taiga Kanamori, Yusuke Kobayashi, Shinsuke Harada, Hiroshi Yano, Noriyuki Iwamuro
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 7, Pp 613-620 (2019)
In this paper, the authors report a unique short circuit failure mechanism of a 1.2 kV silicon carbide (SiC) SBD-wall-integrated trench MOSFET (SWITCH-MOS), using numerical simulations and experimental validation. When the Schottky barrier height in
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/cb96e67fbd8848d5a24826b6b5c3856e
Autor:
Pal, Pinki, Kaur, Amadeep, Suihkonen, Sami, Lemettinen, Jori, Laha, A., Dhar, Subhabrata, Mahapatra, Suddhasatta
A very high specific detectivity and UV-to-visible rejection-ratio (UVRR) is reported for visible-blind metal–semiconductor–metal (MSM) photodetectors (PDs), fabricated with gallium nitride (GaN) on Si(111) epitaxial layers. Comprehensive analysi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______661::c67dff58c703e88eef45c5df20021bcc
https://aaltodoc.aalto.fi/handle/123456789/122017
https://aaltodoc.aalto.fi/handle/123456789/122017
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 32:22792-22802
Modification of interface properties in Pt/n-InP Schottky contacts with atomic layer deposited ZnO interlayer (IL) (5 and 10 nm) has been carried out and the electrical properties were investigated using current–voltage (I–V) and capacitance–vo
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::df3006dbdb8a54f7ff380496d7d44947
https://doi.org/10.1007/s10854-021-06758-w
https://doi.org/10.1007/s10854-021-06758-w
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.