Zobrazeno 1 - 10
of 64
pro vyhledávání: '"Thermally Assisted Photoemission"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
K. Torgasin, K. Morita, H. Zen, K. Masuda, T. Katsurayama, T. Murata, S. Suphakul, H. Yamashita, T. Nogi, T. Kii, K. Nagasaki, H. Ohgaki
Publikováno v:
Physical Review Accelerators and Beams, Vol 20, Iss 7, p 073401 (2017)
The thermally assisted photoemission (TAPE) effect was investigated for the hexaboride thermionic cathodes (LaB_{6} and CeB_{6}). It was found that the quantum efficiency of these cathodes can be increased by raising the cathode temperature along wit
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ac2cff31e5f442ffbd0d1d28a4ca1b9f
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kazunobu Nagasaki, Hideaki Ohgaki, Toshiteru Kii, Konstantin Torgasin, Heishun Zen, Kenichi Morita, Kai Masuda
Publikováno v:
2019 International Vacuum Electronics Conference (IVEC).
Photocurrent of CeB6 was measured over wide range of temperature. The photocurrent at high temperature exceeds the value expected by the Fowler-DuBridge theory. A transmission coefficient was introduced to the photoemission equation in order to accou
Autor:
Tomoya Murata, Sikharin Suphakul, Konstantin Torgasin, H. Zen, Hideaki Ohgaki, K. Masuda, Takeshi Nogi, Tsubasa Katsurayama, H. Yamashita, Kazunobu Nagasaki, Toshiteru Kii, K. Morita
Publikováno v:
Physical Review Accelerators and Beams. 20
The thermally assisted photoemission (TAPE) effect was investigated for the hexaboride thermionic cathodes (${\mathrm{LaB}}_{6}$ and ${\mathrm{CeB}}_{6}$). It was found that the quantum efficiency of these cathodes can be increased by raising the cat
Autor:
J. Wilson, K. Symonds
Publikováno v:
International Symposium for Testing and Failure Analysis.
Enhancement of Existing Fault Isolation Techniques for CMOS VLSI Failure Analysis is important in keeping pace with device design and process technologies. Recently, we enhanced our photoemission microscopy capability by applying heat to the device d
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Torgasin, Konstantin
0048
甲第21472号
エネ博第377号
新制||エネ||74(附属図書館)
学位規則第4条第1項該当
Doctor of Energy Science
Kyoto University
DFAM
甲第21472号
エネ博第377号
新制||エネ||74(附属図書館)
学位規則第4条第1項該当
Doctor of Energy Science
Kyoto University
DFAM
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/2433/236633
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.